[發明專利]一種外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法有效
| 申請號： | 201810386947.9 | 申請日： | 2018-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN108598218B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 范襄;于振海;沈靜曼;付坤;雷剛;王凱;馬聚沙;王訓春;楊廣 | 申請（專利權）人： | 上?？臻g電源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人： | 賈慧琴 |
| 地址： | 200245 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 剛性 柔性 襯底 無機 轉移 方法 | ||
1.一種外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，該方法包含：
(1)分別在外延片和柔性襯底的表面鍍制鍵合金屬層，并進行熱壓鍵合，得到柔性襯底-外延片；
(2)在剛性支撐襯底的待鍵合面和所述的柔性襯底-外延片的柔性襯底上分別鍍制無機鍵合金屬層，并進行熱壓可逆鍵合；所述的無機鍵合金屬層的材料包含：銦、錫和銦錫合金中的任意一種；
(3)將所述的外延片制備成太陽電池器件；
(4)通過加熱進行剛性支撐襯底剝離，完成外延層剛性-柔性襯底轉移；
其中，所述的外延片包含：生長襯底，以及在該生長襯底上生長的太陽電池材料；
所述的太陽電池器件的剛性支撐襯底的熱剝離溫度不低于鍵合金屬層材料的熔點。
2.根據權利要求1所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的柔性襯底為金屬襯底或鍍有金屬的聚合物襯底中的任意一種；
所述的金屬襯底包含：鐵鎳合金。
3.根據權利要求1所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的鍵合金屬層為金-金鍵合層或共晶鍵合層。
4.根據權利要求3所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的鍵合溫度為150～360℃，鍵合壓力為10～20kN。
5.根據權利要求1所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的剛性支撐襯底包含：玻璃、硅、不銹鋼、藍寶石中的任意一種。
6.根據權利要求5所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的鍵合溫度為120～300℃，鍵合壓力為3～30kg/cm2，真空度不低于10-2mBar。
7.根據權利要求6所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的無機鍵合金屬層的厚度為0.1μm～3μm。
8.根據權利要求1-7中任意一項所述的外延層剛性-柔性襯底無機鍵合轉移方法，其特征在于，所述的生長襯底包含：砷化鎵或鍺。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
