[發(fā)明專利]一種功率模塊、功率模塊的制造方法及裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810386914.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN110416180A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 敖利波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L25/16;H01L21/48
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種功率模塊，其特征在于，包括：

銅絕緣基板，所述銅絕緣基板包括導(dǎo)體層；

至少兩個(gè)功率器件，設(shè)置在所述導(dǎo)體層上，其中，所述至少兩個(gè)功率器件用于控制所述功率模塊的輸出電流。

2.如權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，

所述至少兩個(gè)功率器件包括絕緣柵雙極型晶體管IGBT芯片、快速恢復(fù)二極管FRD芯片和驅(qū)動(dòng)集成電路IC芯片中的至少兩個(gè)；

其中，所述驅(qū)動(dòng)IC芯片用于為所述功率模塊提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述IGBT芯片用于接收所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出相應(yīng)的電流，所述FRD芯片用于泄放IGBT芯片中的余留電荷。

3.如權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其特征在于，

所述銅絕緣基板包括從下到上依次設(shè)置的散熱層、絕緣層和所述導(dǎo)體層；

其中，所述散熱層用于所述模塊進(jìn)行散熱，所述絕緣層用于隔離所述導(dǎo)體層與所述散熱層。

4.如權(quán)利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述功率模塊還包括封裝外殼，用于半包封裝所述銅絕緣基板，以覆蓋所述至少兩個(gè)功率器件；

其中，所述半包封裝包括對(duì)所述銅絕緣基板設(shè)置有所述至少兩個(gè)功率器件的表面進(jìn)行封裝。

5.如權(quán)利要求4所述的功率模塊，其特征在于，所述導(dǎo)體層上設(shè)置有電路布線槽，所述電路布線槽中設(shè)置有導(dǎo)線，所述導(dǎo)線用于連接所述導(dǎo)體層和所述至少兩個(gè)功率器件。

6.如權(quán)利要求5所述的功率模塊，其特征在于，所述功率模塊還包括引腳，所述引腳的一端連接所述導(dǎo)體層，另一端延伸于所述封裝外殼的外側(cè)，所述引腳用于所述功率模塊與外部電路連接。

7.如權(quán)利要求1或2所述的功率模塊，其特征在于，所述至少兩個(gè)功率器件通過結(jié)合材料粘合在所述導(dǎo)體層上，其中，所述結(jié)合材料具有粘性和導(dǎo)電性。

8.如權(quán)利要求3所述的功率模塊，其特征在于，所述散熱層和所述導(dǎo)體層的材料均為銅，所述絕緣層的材料為環(huán)氧樹脂。

9.一種功率模塊的制造方法，其特征在于，包括：

在銅絕緣基板的導(dǎo)體層上涂覆結(jié)合材料，其中，所述結(jié)合材料是具有粘性且導(dǎo)電的材料；

將至少兩個(gè)功率器件放置在所述結(jié)合材料上，以形成功率模塊，其中，所述至少兩個(gè)功率器件用于控制所述功率模塊的輸出電流。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，

所述至少兩個(gè)功率器件包括：驅(qū)動(dòng)IC芯片、IGBT芯片和FRD芯片中的至少兩個(gè)；

其中，所述驅(qū)動(dòng)IC芯片用于為所述功率模塊提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)，所述IGBT芯片用于接收所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并根據(jù)所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出相應(yīng)的電流，所述FRD芯片用于泄放IGBT芯片中的余留電荷。

11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述銅絕緣基板包括從下到上依次設(shè)置的散熱層、絕緣層和所述導(dǎo)體層；

其中，所述散熱層用于所述功率模塊散熱，所述絕緣層用于隔離所述導(dǎo)體層與所述散熱層。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

采用環(huán)氧樹脂對(duì)所述銅絕緣基板進(jìn)行半包封裝，以形成覆蓋所述至少兩個(gè)功率器件的封裝外殼；

其中，所述半包封裝包括對(duì)所述銅絕緣基板設(shè)置有所述至少兩個(gè)功率器件的表面進(jìn)行封裝。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

刻蝕所述導(dǎo)體層，以形成電路布線槽；

在所述電路布線槽中設(shè)置導(dǎo)線，其中，所述導(dǎo)線用于連接所述至少兩個(gè)功率器件和所述導(dǎo)體層。