[發明專利]清潔半導體裝置的方法

有效

• 申請號: 201810386573.0
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN108807143B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 凱文·J·萊恩;夏瑞克·斯蒂奎;法蘭克·W·蒙特;寇爾奈利斯·B·匹撒拉
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C25F3/14
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種清潔半導體裝置的方法，其包含：

提供具有一暴露的鈷表面的一半導體晶圓；以及

用pH大于9且氧化還原電位在0.0至-0.4范圍內的陰極水清洗該暴露的鈷表面，

其中，該陰極水是用以下方式產生：提供有100ppm至1000ppm的NH₄OH濃度的去離子水至一陽極電池；提供該去離子水至一陰極電池，其中，該陽極電池與該陰極電池用一離子交換膜分離；以及在該陽極電池與該陰極電池之間施加一電壓，藉此使陽離子穿過該離子交換膜以提高該陰極水的該pH。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，清洗該鈷表面約30秒至約600秒。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該陰極水具有大于10的pH。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該陰極水具有大于11的pH。

5.如權利要求1所述的方法，進一步包含干燥該清洗的鈷表面。

6.如權利要求5所述的方法，進一步包含金屬化該清洗的鈷表面。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，提供具有一暴露的鈷表面的一半導體晶圓的步驟包含：

提供一半導體晶圓，其具有覆蓋該半導體晶圓的一部分且不覆蓋有該鈷表面在其下的數個區域的一掩模；

蝕刻該半導體晶圓中不被該掩模覆蓋的該數個區域以暴露一鈷表面；以及

移除該掩模。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該暴露的鈷表面的清洗將氧化鈷(CoO)及氟化鈷(CoF₂)轉換成氫氧化鈷(Co(OH)₂)。

9.一種清潔半導體裝置的方法，其包含：

提供一電解槽，其包括具有一陰極的一陰極電池、具有一陽極的一陽極電池、以及分離該陰極電池與該陽極電池的一離子交換膜；

供應去離子水至該陰極電池；

以100ppm至1000ppm的濃度供應具有NH₄OH的去離子水至該陽極電池；

在該陽極電池與該陰極電池之間施加一電壓，藉此使陽離子穿過該離子交換膜以提高該去離子水在該陰極電池中的pH至大于9且有在0.0至-0.4范圍內的氧化還原電位；以及

從該陰極電池供應該去離子水至具有一暴露的鈷表面的一半導體晶圓以清潔該半導體晶圓。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，供應該去離子水至該半導體晶圓約30秒至約600秒。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于，供應該去離子水至該半導體晶圓30秒至180秒。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于，該去離子水在該陰極電池中具有大于10的pH。

13.如權利要求9所述的方法，其特征在于，該去離子水在該陰極電池中具有大于11的pH。

14.如權利要求9所述的方法，其特征在于，從該陰極電池供應該去離子水至暴露的鈷表面將氧化鈷(CoO)及氟化鈷(CoF₂)轉換成氫氧化鈷(Co(OH)₂)。