[發明專利]去疵層形成方法在審
| 申請號： | 201810385622.9 | 申請日： | 2018-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN108878255A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 原田晴司 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帥;喬婉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 背面 涂布步驟 晶片干燥 強度降低 溶液涂布 金屬鹽 抗折 | ||
【權利要求書】：
1.一種去疵層形成方法，在晶片的背面上形成去疵層，該晶片在正面上形成有器件，其特征在于，該去疵層形成方法具有如下的步驟：
涂布步驟，將金屬鹽的溶液涂布在晶片的背面上；以及
干燥步驟，在實施了該涂布步驟之后，使晶片干燥而在該背面上形成去疵層。
2.根據權利要求1所述的去疵層形成方法，其特征在于，
該金屬鹽包含2價的金屬，該去疵層含有每1cm2為1×1013個以上的該金屬原子。
3.根據權利要求1所述的去疵層形成方法，其特征在于，
該金屬鹽包含3價的金屬，該去疵層含有每1cm2為1×1012個以上的該金屬原子。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
