[發明專利]靜電吸附夾盤及其制造方法、以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201810385554.6
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN108807257B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 山本榮一;寺久保欣浩;三井貴彥;伊東利洋
• 申請（專利權）人: 株式會社岡本工作機械制作所
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/304
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種靜電吸附夾盤的制造方法，該靜電吸附夾盤為借由靜電力而保持半導體晶圓，該制造方法包括：

將在內部設置有至少一對電極的合成樹脂片接合在基板的步驟；

使所述基板旋轉，將接合在所述基板的所述合成樹脂片的表面以旋轉的磨石研削而形成被平坦化的研削面的步驟；其中

在形成所述研削面的步驟中，在被研削加工的所述合成樹脂片的表面，從所述磨石的外側供給研削液，并且，以噴射角度5至20度及噴出壓力3至20MPa將洗凈液噴附至所述磨石的未供研削加工用的部分的刀尖。

2.根據權利要求1所述的靜電吸附夾盤的制造方法，其中，在形成所述研削面的步驟之后，執行下列步驟：形成從所述基板的背面達到所述電極的多個孔，對所述孔埋設金屬并形成供電用電極。

3.根據權利要求1或2所述的靜電吸附夾盤的制造方法，其中，所述磨石為細微性?500至8000的鉆石磨石，

所述研削面為平坦化成TTV為1μm以下、評價區域25mm×25mm的LTV為0.1μm以下。

4.一種半導體裝置的制造方法，其使用以權利要求1至3中任一項所述的靜電吸附夾盤的制造方法所制造的靜電吸附夾盤，且具備：

使半導體晶圓的裝置面抵接于所述靜電吸附夾盤的經平坦化的所述研削面并對所述電極施加電壓，且利用靜電力來保持所述半導體晶圓的步驟；以及

將保持在所述靜電吸附夾盤的所述半導體晶圓的背面予以研削的步驟。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其中，具備下列步驟：在執行將所述半導體晶圓的背面予以研削的步驟之后，將保持在所述靜電吸附夾盤的所述半導體晶圓與所述靜電吸附夾盤一同反轉，將所述半導體晶圓的背面接合在其他半導體晶圓的裝置面。