[發明專利]一種Ni納米點@BN納米球復合物及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201810385237.4
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN108714690A
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發明（設計）人: 劉先國;余潔意;孫玉萍
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00;B22F9/14;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

本發明涉及材料制備技技術領域，尤其涉及一種Ni納米點@BN納米球復合物，其特征在于，所述Ni納米點@BN納米球復合物的微觀結構為Ni納米點嵌入BN納米球。所述BN納米球的粒徑為150～300nm，所述Ni納米點的粒徑為1～3nm。本發明首次制備出了Ni納米點@BN納米球復合物；本發明制備過程條件簡單，易于控制，為Ni納米點@BN納米球復合物的實際應用提供了條件；本發明的Ni納米點@BN納米球復合物，由于Ni納米點和BN納米球構成了良好的電磁匹配，在2～18GHz頻率范圍內具有優秀的電磁吸收能力，使Ni納米點@BN納米球復合物成為2～18GHz范圍內電磁吸收強有力的候選材料。

技術領域

本發明涉及材料制備技術領域，尤其涉及一種Ni納米點@BN納米球復合物及其制備方法和應用。

背景技術

隨著電磁技術的高速發展和電子元器件日趨小型化、高頻化，各種頻段的電磁波充斥著人們的生存空間，造成了嚴重的電磁污染，引起了世界各國的關注。電磁污染已經成為21世紀生態環境的首要物理污染。長期接受電磁輻射可使癌癥發病率升高，嚴重影響人體健康。同時，電磁干涉也嚴重影響了電子電路和電子元器件的正常工作，造成無法挽回的經濟損失和安全問題。為此，美國聯邦通訊委員會制定了抗電磁干擾法規和“Tem-pest”技術標準。歐盟頒布了CE標準，規定一切電子設備必須達到電磁兼容標準才能投放市場。國際無線電抗干擾特別委員會(CISPR)制定了CISPR國際標準。同時，電磁兼容和電磁吸收已經成為我國電子產品在國際市場上競爭力的關鍵技術之一。電磁吸收材料通過電磁損耗將電磁波能量轉化為其他形式能量，從而達到對電磁波的吸收和耗散。電磁吸收材料可以有效地解決電磁污染和電磁干擾。

在眾多的電磁吸收材料中，金屬納米-介電性納米復合材料中存在著大量的異質界面，能夠產生多重吸收和界面極化等電磁損耗機制，已經成為了世界各國的研究熱點。BN由于具有價格低廉、高溫強度大、抗氧化性強、耐磨損性好和熱膨脹系數小等優良特性而得到廣泛的應用。BN的起始氧化溫度高于800℃，并且在高溫下會形成B₂O₃保護層將會阻止金屬材料進一步被氧化。BN的介電常數為5.16，將BN與金屬材料復合，可提高其電磁吸收性能。國內很多學者致力于金屬-BN復合材料的制備方法研究，簡介如下：

中國發明專利“零維納米膠囊氮化硼包覆鈷的制備方法”(專利200710157688.4)公開了一種零維納米膠囊氮化硼包覆鈷的制備方法。利用等離子體電弧法制備出BN包覆Co納米膠囊，其為核殼結構，核為Co、CoB，殼為BN，BN外殼的厚度約為幾個nm，納米顆粒內核的尺寸約為30nm。

中國發明專利“一種雙殼層鈦酸鋇/氮化硼/鎳納米膠囊的制備方法”(專利201210497517.7)公開了一種雙殼層鈦酸鋇/氮化硼/鎳納米膠囊的制備方法。先利用等離子體電弧法制備出BN包覆Ni納米膠囊的粒度為30～100nm，BN殼厚度為4～8nm；然后通過溶膠-凝膠法引入鈦酸鋇，作為最外層，最終形成雙外殼的Ni納米膠囊，外殼依次為BN和鈦酸鋇，其中鈦酸鋇殼的厚度為5～10nm。

中國發明專利“一種用于合成氣甲烷化反應的金屬@BN核-殼結構納米催化劑及其制備方法”(專利201510229155.7)公開了一種用于合成氣甲烷化反應的金屬@BN核-殼結構納米催化劑及其制備方法，其微觀結構為金屬的納米粒子擔載于SiO₂載體上，表面覆蓋超薄BN層，具有核-殼結構，BN與金屬納米粒子的摩爾比即0.1～10。

中國發明專利“氮化硼納米片-銀納米顆粒復合材料的制備方法”(專利201310091632.9)公開了氮化硼納米片-銀納米顆粒復合材料的制備方法，利用液相還原法制備了BN納米片-Ag納米顆粒復合材料，其中BN納米片的直徑約為0.5～3μm，厚度為2nm，Ag納米顆粒尺寸在20～80nm。