[發明專利]晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法

有效

• 申請號: 201810384790.6
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN110408887B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 王曉龍;陸明曄;尹勇
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35;H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

1)提供一硅晶圓，于所述硅晶圓表面沉積鋁薄膜；以及

2)采用直流磁控濺射法于所述鋁薄膜表面沉積ITO透明導電層，其中，所述直流磁控濺射法采用的溫度范圍介于200℃～300℃之間，以使得自所述ITO透明導電層的透光率大于0.85，所述直流磁控濺射法采用的電源功率范圍介于3000W～3500W之間，以提高所述ITO透明導電層與所述鋁薄膜的粘附強度，所述直流磁控濺射法采用In-Sn-O靶作為靶材，以Ar氣體作為濺射氣體，其中，電離后的Ar離子將所述In-Sn-O靶中的In原子及Sn原子濺射至ITO反應腔中，所述In原子及Sn原子與處于激發狀態的O離子在200℃～300℃下發生反應，生成所述ITO透明導電層，所述In-Sn-O靶中，In原子的質量比為85％～90％，Sn原子的質量比為10％～15％，以提高所述ITO透明導電層的電導率。

2.根據權利要求1所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：所述鋁薄膜的反射率不低于0.9，自所述ITO透明導電層入射的光線，經過所述ITO透明導電層及所述鋁薄膜的反射后，光線的出射率不低于0.7。

3.根據權利要求1所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：所述鋁薄膜的厚度范圍介于100nm～200nm之間。

4.根據權利要求1所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：所述ITO透明導電層的厚度范圍介于10nm～120nm之間。

5.根據權利要求1所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：進行所述直流磁控濺射法前，所述ITO反應腔的真空度介于為3.0×10^-6torr～5.0×10^-6torr之間，以提高所述ITO透明導電層的純度。

6.根據權利要求1所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：步驟1)中，于所述硅晶圓表面沉積所述鋁薄膜的方法包括真空蒸發法、離子束輔助沉積法及直流磁控濺射法中的一種。

7.根據權利要求6所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：采用直流磁控濺射法于所述硅晶圓表面沉積所述鋁薄膜，其中，采用鋁靶作為靶材，采用Ar作為濺射氣體。

8.根據權利要求7所述的晶圓級硅基鋁表面的ITO透明導電層的制備方法，其特征在于：所述直流磁控濺射法中，Ar氣體的流量范圍介于150sccm～200sccm，直流電源的功率范圍介于2000W～3000W，濺射的溫度范圍介于100℃～150℃。