[發明專利]攝像裝置在審
| 申請號: | 201810383853.6 | 申請日: | 2018-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN108987420A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 西川麻美;西村佳壽子 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/357 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 信號線 半導體基板 電連接 擴散層 電荷積蓄 攝像裝置 信號電荷 布線層 列方向 布線 像素 積蓄信號電荷 光電變換部 布線配置 方向觀察 垂直的 晶體管 入射光 二維 減小 噪聲 施加 輸出 配置 延伸 | ||
1.一種攝像裝置,其特征在于,具備:
半導體基板;
多個像素,在上述半導體基板上沿著行方向及列方向二維地配置;以及
1層以上的布線層,包括沿著上述列方向延伸的第1信號線和被施加多值的信號的第2信號線,位于上述半導體基板上;
上述多個像素所包含的第1像素具備:
光電變換部,將入射光變換為信號電荷;
電荷積蓄區域,積蓄上述信號電荷;
第1布線,電連接于上述電荷積蓄區域;以及
第1晶體管,包括第1擴散層及第2擴散層,將與上述信號電荷的量對應的信號向上述第1信號線輸出,上述第1擴散層電連接于上述第1信號線,上述第2擴散層電連接于上述第2信號線;
上述第1信號線、上述第2信號線及上述第1布線配置于上述1層以上的布線層所包含的第1布線層;
當從與上述半導體基板垂直的方向觀察時,上述第2信號線位于上述第1布線與上述第1信號線之間。
2.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,
上述1層以上的布線層包括第3信號線,該第3信號線被施加上述多值的信號,并且配置于上述第1布線層;
當從與上述半導體基板垂直的方向觀察時,上述第1布線位于上述第2信號線與上述第3信號線之間。
3.如權利要求2所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第3信號線電連接于上述第2擴散層。
4.如權利要求2所述的攝像裝置,其特征在于,
上述多個像素包括與上述第1像素不同的第2像素;
上述第3信號線電連接于上述第2像素。
5.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第1像素具有使上述信號向上述電荷積蓄區域負反饋的反饋路徑。
6.如權利要求5所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第1像素具備:
第2晶體管,包括上述電荷積蓄區域及第3擴散層;
第3晶體管,包括第4擴散層及第5擴散層,上述第4擴散層電連接于上述第1擴散層,上述第5擴散層電連接于上述第3擴散層;以及
電容元件,電連接于上述電荷積蓄區域與上述第3擴散層之間;
上述反饋路徑包括上述電荷積蓄區域、上述第1晶體管、上述第3晶體管及上述電容元件。
7.如權利要求6所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第1像素具備:
第4晶體管,包括第6擴散層及第7擴散層,上述第7擴散層電連接于上述第1信號線;
第2布線,將上述第1擴散層與上述第6擴散層電連接;以及
第3布線,將上述第4擴散層與上述第6擴散層電連接;
上述第2布線及上述第3布線的至少一方、上述第2信號線以及上述第1布線配置于上述1層以上的布線層所包含的第2布線層;
當從與上述半導體基板垂直的方向觀察時,上述第2信號線位于上述第2布線及上述第3布線的上述至少一方與上述第1布線之間。
8.如權利要求7所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第2布線層與上述第1布線層不同。
9.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,
上述第1布線及上述第2信號線分別配置于上述第1布線層以及第3布線層雙方,上述第3布線層是包含于上述1層以上的布線層且與上述第1布線層相鄰的布線層。
10.如權利要求1所述的攝像裝置,其特征在于,
上述光電變換部包括第1電極、第2電極、以及上述第1電極與上述第2電極之間的光電變換膜;
上述第1布線將上述第2電極與上述電荷積蓄區域電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下知識產權經營株式會社,未經松下知識產權經營株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810383853.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:圖像傳感器及其制造方法
- 下一篇:一種背照單光子雪崩二極管圖像傳感器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





