[發明專利]發光二極管的倒裝芯片及其制造方法和發光方法

在審

• 申請號: 201810382603.0
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN110416380A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 鄔新根;劉英策;李俊賢;吳奇隆
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一發光二極管的倒裝芯片，其特征在于，包括：

至少一反射層；

至少一N型電極；

至少一P型電極；

至少一分布式布拉格反射單元；以及

一外延單元，其中所述外延單元包括一襯底、一N型層、一有源層以及一P型層，所述襯底、所述N型層、所述有源層和所述P型層被依次層疊地設置，并且所述外延單元具有至少一N型層裸露部，所述N型層裸露部自所述P型層的外側面經由所述有源層延伸至所述N型層，其中所述反射層形成于所述P型層，所述分布式布拉格反射單元一體地結合于所述N型層、所述有源層、所述P型層以及所述反射層，其中所述N型電極被電連接于所述N型層，所述P型電極被電連接于所述P型層。

2.根據權利要求1所述的倒裝芯片，進一步包括一防擴散層，其中所述防擴散層形成于所述P型層，并且所述防擴散層包覆所述反射層的至少一部分區域，其中所述分布式布拉格反射單元一體地結合于所述防擴散層。

3.根據權利要求2所述的倒裝芯片，其中所述反射層是銀反射層，所述防擴散層完全包覆所述反射層。

4.根據權利要求3所述的倒裝芯片，其中所述防擴散層被電連接于所述P型層，所述P型電極以所述P型電極被電連接于所述防擴散層的方式被電連接于所述P型層。

5.根據權利要求4所述的倒裝芯片，進一步包括至少一N電流擴展層，其中所述N電流擴展層以所述N電流擴展層被保持在所述外延單元的所述N型層裸露部的方式被電連接于所述N型層，其中所述N型電極以所述N型電極被電連接于所述N電流擴展層的方式被電連接于所述N型層，其中所述分布式布拉格反射單元一體地結合于所述N電流擴展層。

6.根據權利要求5所述的倒裝芯片，其中所述分布式布拉格反射單元具有至少一N型層通道和至少一P型層通道，其中所述N電流擴展層對應于所述N型層通道，所述N型電極形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述N型電極經由所述N型層通道延伸至所述N電流擴展層，其中所述防擴散層對應于所述P型層通道，所述P型電極形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述P型電極經由所述P型層通道延伸至所述防擴散層。

7.根據權利要求5所述的倒裝芯片，其中所述N電流擴展層自所述N型層向所述P型層方向延伸。

8.根據權利要求1所述的倒裝芯片，進一步包括至少一N電流擴展層和至少一P電流擴展層，其中所述分布式布拉格反射單元具有至少一N型層通道和至少一P型層通道，其中所述N型層對應于所述N型層通道，所述N電流擴展層形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述N電流擴展層經由所述N型層通道延伸至所述N型層，且所述N電流擴展層被電連接于所述N型層，所述N型電極以所述N型電極被電連接于所述N電流擴展層的方式被電連接于所述N型層，其中所述P型層對應于所述P型層通道，所述P電流擴展層形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述P電流擴展層經由所述P型層通道延伸至所述P型層，并且所述P電流擴展層被電連接于所述P型層，所述P型電極以所述P型電極被電連接于所述P電流擴展層的方式被電連接于所述P型層。

9.根據權利要求2至4中任一所述的倒裝芯片，進一步包括至少一N電流擴展層和至少一P電流擴展層，其中所述分布式布拉格反射單元具有至少一N型層通道和至少一P型層通道，其中所述N型層對應于所述N型層通道，所述N電流擴展層形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述N電流擴展層經由所述N型層通道延伸至所述N型層，且所述N電流擴展層被電連接于所述N型層，所述N型電極以所述N型電極被電連接于所述N電流擴展層的方式被電連接于所述N型層，其中所述P型層對應于所述P型層通道，所述P電流擴展層形成于所述分布式布拉格反射單元，并且所述P電流擴展層經由所述P型層通道延伸至所述P型層，并且所述P電流擴展層被電連接于所述P型層，所述P型電極以所述P型電極被電連接于所述P電流擴展層的方式被電連接于所述P型層。