[發明專利]磁阻效應器件及高頻器件

在審

• 申請號: 201810379752.1
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108807663A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 山根健量;占部順一郎;鈴木健司;志村淳
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;陳明霞

1.一種磁阻效應器件，其中，

具備：

第一端口，其輸入信號；

第二端口，其輸出信號；

磁阻效應元件，其具有第一鐵磁性層、第二鐵磁性層、和夾持于第一鐵磁性層和第二鐵磁性層之間的間隔層；

第一信號線路，其與所述第一端口連接，流通對應于從所述第一端口輸入的信號的高頻電流，并對所述磁阻效應元件施加高頻磁場；

第二信號線路，其將所述第二端口和所述磁阻效應元件相連；以及

直流施加端子，其能夠連接在所述磁阻效應元件的層疊方向上施加直流電流或直流電壓的電源，

所述第一信號線路在所述磁阻效應元件的層疊方向或與層疊方向正交的面內方向的位置具有沿第一方向延伸的磁場發生部，

從配置有所述磁場發生部的所述層疊方向或所述面內方向觀察時，所述磁場發生部和所述磁阻效應元件具有重疊的部分。

2.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

從配置有所述磁場發生部的所述層疊方向或所述面內方向觀察時，所述磁場發生部與所述磁阻效應元件的整個面重疊，或者所述磁阻效應元件遍及與所述第一方向正交的第二方向與所述磁場發生部重疊。

3.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

在將所述磁場發生部設置于所述磁阻效應元件的層疊方向的情況下，

所述磁場發生部的寬度為所述磁阻效應元件的寬度的0.5倍以上且10倍以下。

4.根據權利要求3所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部的寬度為100nm以上且800nm以下。

5.根據權利要求3所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部的厚度為50nm以上且500nm以下。

6.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

在將所述磁場發生部設置于所述磁阻效應元件的面內方向的情況下，

所述磁場發生部的厚度為所述磁阻效應元件的厚度的3倍以上且50倍以下。

7.根據權利要求6所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部的寬度為50nm以上且500nm以下。

8.根據權利要求6所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部的厚度為100nm以上且800nm以下。

9.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部和所述磁阻效應元件的距離為500nm以下。

10.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部沿所述第一方向延伸的長度為20μm以下。

11.根據權利要求1所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁場發生部的對所述磁阻效應元件的所述第一鐵磁性層或所述第二鐵磁性層施加的高頻磁場的方向、和所述磁阻效應元件的第一鐵磁性層或所述第二鐵磁性層的易磁化方向構成的角度為5°以上且65°以下。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的磁阻效應器件，其中，

所述磁阻效應元件相對于所述直流施加端子串聯或并聯地設置有多個。

13.一種高頻器件，其使用權利要求1～12中任一項所述的磁阻效應器件。