[發明專利]一種表面增強拉曼散射基片及其制備方法

有效

• 申請號: 201810379352.0
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108707867B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 張政軍;劉躍華
• 申請（專利權）人: 廣西三環高科拉曼芯片技術有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/58;G01N21/65
• 代理公司: 11246 北京眾合誠成知識產權代理有限公司
• 代理人: 張文寶

1.一種表面增強拉曼散射基片的制備方法，其特征在于，所述散射基片包括基片，基片表面的銀鋁固溶納米棒，以及納米棒表面的非晶態氧化鋁薄膜；所述制備方法包括以下步驟：

1)利用雙電子束共沉積的方法，在基片表面制備銀鋁固溶納米棒陣列薄膜；

2)采用原位退火技術在銀鋁固溶納米棒陣列薄膜表面自發形成非晶氧化鋁薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基片為單晶硅基片、石英片或光學玻璃片。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述銀鋁固溶納米棒為斜棒或者圓柱陣列薄膜，其長度為300nm～500nm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述非晶態氧化鋁薄膜的厚度1nm～5nm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟1)包括如下步驟：

(1)將基片用丙酮、無水乙醇、去離子水逐一超聲清洗并晾干；

(2)將步驟(1)所得基片固定在雙電子束蒸發鍍膜機的樣品臺上，其中兩個蒸發源的中心距離控制在3cm～6cm；

(3)采用金屬銀和金屬鋁為靶材，室溫下將雙電子束蒸發鍍膜機腔室抽真空至2×10^－5Pa～9×10^－5Pa；

(4)采用傾斜生長法，調整雙電子束入射角為85～88度，并使樣品臺靜止或以每分鐘5～10轉的速率旋轉，在樣品臺的基片上同時沉積金屬銀和金屬鋁，控制銀的沉積速率為鋁的沉積速率為得到銀鋁固溶納米棒陣列薄膜。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所得銀鋁固溶納米棒陣列薄膜的長度為300nm～500nm，所述納米棒直徑約為40nm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2)所述原位退火在沉積腔室內進行，退火溫度為150℃～300℃，退火時間為1min～120min，真空度為1Pa～10^-3Pa,在銀鋁固溶納米棒薄膜表面自發形成非晶態氧化鋁薄膜，所述氧化鋁薄膜的厚度1nm-5nm。