[發明專利]動態隨機存取存儲器的制造方法

在審

• 申請號: 201810379119.2
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108428702A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發明提供一種動態隨機存取存儲器的制造方法，包括制備動態隨機存取存儲器的字線陣列、位線陣列、接觸栓陣列、接觸焊盤陣列及電容器陣列，每個接觸焊盤均連接于一個接觸栓上方；其中，相鄰兩列接觸焊盤的偏移方向相反，使所述接觸焊盤陣列呈六方排布；每個電容器均連接于一個所述接觸焊盤的上方。本發明制備的動態隨機存取存儲器中，平面布局結構由接觸栓的四方排布變換為電容器的六方排布，可以提高存儲單元中電容器的面積，獲得更大的電容值。本發明在實現了電容器的六方布局及存儲單元面積為6F²的同時，保證有源區、字線、位線均為直線型，布局更為簡單，有利于降低工藝復雜性，提高存儲器的穩定性。

技術領域

本發明屬于存儲器領域，涉及一種動態隨機存取存儲器的制造方法。

背景技術

電容器是一種以靜電場形式儲存能量的無源電子元件。在最簡單的形式，電容器包括兩個導電極板，且兩個導電板之間通過稱之為電介質的絕緣材料隔離。電容器的電容與極板的表面面積成正比，與極板間的距離成反比。電容器的電容還取決于分離極板的物質的介電常數。

電容的標準單位是法(farad，簡稱為F)，這是一個大單位，更常見的單位是微法(microfarad，簡稱μF)和皮法(picofarac，簡稱PF)，其中，1μF＝10^-6F，1pF＝10^-12F。

電容器可以制造于集成電路(IC)芯片上。在動態隨機存取存儲器(dynamicrandom access memory，簡稱DRAM)中，電容通常用于與晶體管連接。電容器有助于保持存儲器的內容。由于其微小的物理尺寸，這些組件具有低電容。他們必須以每秒數千次的頻率再充電，否則，DRAM將丟失數據。

集成電路制造工藝領域中，隨著電子器件尺寸縮小最小線寬特征以至20納米以下。然而20納米以下電容數組設計以六方最密堆積為最佳幾何選擇。現有的動態隨機存取存儲器的制造方法中，為實現電容數組的六方最密堆積，通常具有復雜的制造工藝，且位線采用曲線設計，大大提高了工藝難度。

因此，如何提出一種制造工藝更為簡單的動態隨機存取存儲器的制造方法，并達到較小的存儲單元面積和較高的電荷存儲能力，成為本領域技術人員亟待解決的一個重要技術問題。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種動態隨機存取存儲器的制造方法，用于解決現有技術中動態隨機存取存儲器的制造方法復雜的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種動態隨機存取存儲器的制造方法，包括如下步驟：

S1：提供一半導體結構，所述半導體結構包括襯底、位于所述襯底上表面的多層膜結構以及位于所述多層膜結構上表面的接觸焊盤；

S2：在所述半導體結構上形成一覆蓋所述接觸焊盤的鈍化層；

S3：在所述鈍化層上依次形成第一犧牲層、第一支撐層、第二犧牲層及第二支撐層；

S4：形成上下貫穿所述第二支撐層、第二犧牲層、第一支撐層、第一犧牲層及所述鈍化層的多個通孔，每個通孔分別位于一個所述接觸焊盤的正上方，并暴露出所述接觸焊盤的上表面；

S5：在所述通孔的側壁及底部形成第一導電材料層；

S6：形成多個上下貫穿所述第二支撐層的開口，所述開口暴露出所述第二犧牲層的一部分，并且在打開所述開口的同時形成所述開口的周圍布局；

S7：以所述開口為蝕刻液通過窗口，濕法腐蝕去除所述通孔周圍的所述第二犧牲層；

S8：去除部分所述第一支撐層，并濕法腐蝕去除所述通孔周圍的所述第一犧牲層；以及