[發明專利]反應腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201810379027.4
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN110400763B
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 程旭文;姜宏偉;楊雄
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括腔室側壁和腔室底壁，其特征在于，還包括熱交換元件和用于提供能量的熱交換源，其中，所述熱交換元件包括均勻分布在所述腔室側壁中的第一部分，和均勻分布在所述腔室底壁中的第二部分；

所述熱交換元件為熱交換管路，所述熱交換管路包括輸入端和輸出端；所述熱交換源為熱交換液體源，所述熱交換液體源包括輸出口和回收口，所述輸出口通過所述輸入端向所述熱交換管路通入熱交換液體；所述回收口通過所述輸出端回收所述熱交換管路中的熱交換液體；所述熱交換液體的溫度與期望的腔室溫度一致，以防止出現腔室過溫的情況，從而避免給工藝造成嚴重影響。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述第一部分和第二部分相互串聯或者相互并聯。

3.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，通過控制所述熱交換液體在所述熱交換管路中的流速和/或溫度，來控制加熱速度。

4.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述第二部分包括兩條第一管路，兩條所述第一管路構成圓環結構，并且每條所述第一管路纏繞形成半徑不同的多個半圓形管路；

兩條所述第一管路各自的一端分別用作所述輸入端和輸出端；兩條所述第一管路各自的另一端與所述第一部分的兩端連接。

5.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述第一部分包括多條第二管路和兩條第三管路，其中，

多條所述第二管路沿所述腔室側壁的軸向間隔設置，每條所述第二管路沿所述腔室側壁的周向環繞設置，且每條所述第二管路的兩端之間具有間距；

兩條所述第三管路均沿所述腔室側壁的軸向設置，且其中一條所述第三管路分別與多條所述第二管路的一端連接，其中另一條所述第三管路分別與多條所述第二管路的另一端連接；并且，兩條所述第三管路分別與兩條所述第一管路各自的另一端連接。

6.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述熱交換管路的管徑小于等于0.5inch。

7.一種半導體加工設備，其特征在于，包括權利要求1-6任意一項所述的反應腔室。