[發(fā)明專利]三維存儲器的制造方法及形成晶體硅層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810378963.3
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN108461503B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方振
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11597
• 分類號: H01L27/11597
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成第一絕緣疊層，所述第一絕緣疊層包括沿第一方向交替堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層；所述第一方向?yàn)榇怪庇谒鲆r底的表面的方向；

在所述第一絕緣疊層上形成臺階結(jié)構(gòu)，得到第二絕緣疊層，使得所述第二絕緣疊層包括沿第二方向并排設(shè)置的臺階區(qū)和核心區(qū)；所述第二方向?yàn)槠叫杏谒鲆r底的表面的方向，所述臺階區(qū)包括所述臺階結(jié)構(gòu)；

形成沿第一方向貫穿所述臺階區(qū)的多個(gè)第一通道孔；

形成沿第一方向貫穿所述核心區(qū)的多個(gè)第二通道孔；

在所述多個(gè)第一通道孔的底部形成第一無定型硅層；

在所述多個(gè)第二通道孔的底部形成第二無定型硅層；

對所述第一無定型硅層和所述第二無定型硅層進(jìn)行激光照射，以使所述第一無定型硅層和所述第二無定型硅層結(jié)晶。

2.如權(quán)利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于：所述第一無定型硅層具有第一預(yù)定高度；

所述第二無定型硅層具有第二預(yù)定高度。

3.如權(quán)利要求2所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一無定型硅層和所述第二無定型硅層的頂部在所述第二方向上齊平。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步驟中，采用準(zhǔn)分子激光。

5.如權(quán)利要求4所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光的波長的范圍是180nm至360nm。

6.如權(quán)利要求5所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述準(zhǔn)分子激光為KrF準(zhǔn)分子激光。

7.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步驟中，所述激光的能量密度的上限是10焦耳每平方厘米，所述激光的能量密度的下限是1焦耳每平方厘米。

8.如權(quán)利要求7所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，在所述激光照射步驟中，進(jìn)行激光照射的時(shí)長的上限是100秒，進(jìn)行激光照射的時(shí)長的下限是30秒。

9.如權(quán)利要求1所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

形成沿第一方向貫穿所述核心區(qū)的多個(gè)第三通道孔；所述多個(gè)第三通道孔的孔密度和/或孔徑不同于所述多個(gè)第二通道孔；

在所述多個(gè)第三通道孔的底部形成第三無定型硅層；

對所述第三無定型硅層進(jìn)行激光照射，以使所述第三無定型硅層結(jié)晶。

10.如權(quán)利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

形成沿第一方向貫穿所述第二絕緣疊層的溝槽；所述溝槽全部形成在所述核心區(qū)，或者所述溝槽全部形成在所述臺階區(qū)，或者所述溝槽的一部分形成在所述核心區(qū)，另一部分形成在所述臺階區(qū)；所述溝槽用于將所述第二絕緣疊層劃分成第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分通過所述溝槽完全分離；

在所述溝槽的底部形成第四無定型硅層；

對所述第四無定型硅層進(jìn)行激光照射，以使所述第四無定型硅層結(jié)晶。

11.如權(quán)利要求10所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述多個(gè)第一通道孔內(nèi)形成第一虛設(shè)存儲串；

在所述多個(gè)第二通道孔內(nèi)形成存儲串；

在所述多個(gè)第三通道孔內(nèi)形成第二虛設(shè)存儲串；

在所述溝槽內(nèi)形成隔離墻；

所述第一虛設(shè)存儲串、所述第二虛設(shè)存儲串和所述隔離墻與所述存儲串具有相同的層結(jié)構(gòu)；所述第一虛設(shè)存儲串、所述第二虛設(shè)存儲串、所述隔離墻和所述存儲串中，僅所述存儲串用于存儲數(shù)據(jù)。