[發明專利]晶閘管均流裝置有效
| 申請號: | 201810377866.2 | 申請日: | 2018-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN108471224B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 廖曉斌;桂勇華;胡清波;劉偉 | 申請(專利權)人: | 華自科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/06 | 分類號: | H02M1/06 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 黃曉慶 |
| 地址: | 410000 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶閘管 裝置 | ||
1.一種晶閘管均流裝置,其特征在于,包括電流檢測單元、控制單元以及晶閘管均流執行單元,其中,所述晶閘管均流執行單元包括多個磁環,待均流晶閘管回路包括多個并聯的晶閘管回路單元;
所述晶閘管均流執行單元中的單個磁環產生的磁場覆蓋單個所述晶閘管回路單元,所述電流檢測單元分別與所述待均流晶閘管回路中的各所述晶閘管回路單元以及所述控制單元連接,所述控制單元與所述晶閘管均流執行單元連接;
所述電流檢測單元獲取所述各晶閘管回路單元的電流實時值,所述控制單元根據所述各晶閘管回路單元的電流實時值以及電流預設值生成脈沖信號,并將所述脈沖信號發送至所述晶閘管均流執行單元,由所述晶閘管均流執行單元根據所述脈沖信號調節各所述磁環兩個磁芯的接觸面積,實現調節各所述磁環的磁場強度,以使所述各晶閘管回路單元的等效阻抗相同;
其中,所述晶閘管均流執行單元響應所述控制單元發出的脈沖信號,根據所述脈沖信號調節各磁環的磁場強度,所述晶閘管回路單元穿過的磁環的磁場強度越強,所述晶閘管回路單元的等效阻抗越大,所述晶閘管回路單元的電流實時值越??;反之,所述晶閘管回路單元穿過的磁環的磁場強度越弱,所述晶閘管回路單元的等效阻抗越小,所述晶閘管回路單元的電流實時值越大。
2.根據權利要求1所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述控制單元根據所述各晶閘管回路單元的電流實時值以及電流預設值,基于PID算法生成脈沖信號。
3.根據權利要求1所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述晶閘管均流執行單元包括驅動機構、傳動機構、動磁芯和定磁芯;
所述驅動機構與所述傳動機構連接,所述傳動機構與所述動磁芯連接,以使所述動磁芯跟隨所述傳動機構運動,所述動磁芯與所述定磁芯形成所述磁環。
4.根據權利要求3所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述傳動機構包括主動件和從動件,所述驅動機構與所述主動件連接,所述主動件與所述從動件連接,所述從動件與所述動磁芯連接,以使所述動磁芯跟隨所述從動件運動。
5.根據權利要求4所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述主動件為傳動齒輪,所述從動件為螺桿,所述驅動機構與所述傳動齒輪連接,所述傳動齒輪與所述螺桿嚙合,所述動磁芯與所述螺桿連接,以使所述動磁芯跟隨所述螺桿運動。
6.根據權利要求4所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,還包括導向件,所述導向件具有導向通道,所述從動件穿設于所述導向通道并與所述導向通道形成滑動配合。
7.根據權利要求3所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述驅動機構包括電機驅動器和電機,所述電機驅動器與所述電機連接,所述電機與所述傳動機構連接。
8.根據權利要求7所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述電機為步進電機。
9.根據權利要求1所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述電流檢測單元包括多個電流傳感器,所述電流傳感器的數量與所述晶閘管回路單元的數量相同,單個所述電流傳感器與單個所述晶閘管回路單元連接。
10.根據權利要求1所述的晶閘管均流裝置,其特征在于,所述磁環的數量與所述晶閘管回路單元的數量相同。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





