[發(fā)明專利]集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊及其封裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810377852.0 | 申請日： | 2018-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN108550570B | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐海林 | 申請（專利權(quán)）人： | 成都聚利中宇科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/66 | 分類號： | H01L23/66;H01L23/528;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李華;溫黎娟 |
| 地址： | 610213 四川省成都市雙流*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成 垂直 輻射 天線 高頻 集成電路 模塊 及其 封裝 方法 | ||
1.一種集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，包括封裝殼體和固定在所述封裝殼體上的集成型高頻集成電路芯片，所述集成型高頻集成電路芯片的各電極通過金屬絲引線鍵合到所述封裝殼體的各對應(yīng)焊盤上，所述集成型高頻集成電路芯片和所述金屬絲引線外部包覆有封裝層，其中，所述集成型高頻集成電路芯片上設(shè)置有功能電路和垂直輻射天線組件，所述功能電路和所述垂直輻射天線組件位于同一平面，且所述功能電路和所述垂直輻射天線組件具有相同的襯底材料，所述功能電路的高頻輸出電極與所述垂直輻射天線組件的高頻輸入電極在所述集成型高頻集成電路芯片內(nèi)部互聯(lián)，所述集成型高頻集成電路芯片輸出的高頻電磁波通過所述垂直輻射天線輻射到空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，所述封裝殼體上設(shè)置有導(dǎo)熱層，所述集成型高頻集成電路芯片固定在所述導(dǎo)熱層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，所述導(dǎo)熱層為金屬導(dǎo)熱層。
4.一種集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，包括封裝殼體、以及分別固定在所述封裝殼體上的高頻集成電路芯片和垂直輻射天線，所述高頻集成電路芯片和所述垂直輻射天線位于同一平面，所述高頻集成電路芯片的高頻輸出電極與所述垂直輻射天線的高頻輸入電極相鄰設(shè)置，所述高頻集成電路芯片的高頻輸出電極通過金屬絲引線鍵合到所述垂直輻射天線的高頻輸入電極上，所述高頻集成電路芯片輸出的高頻電磁波通過所述垂直輻射天線輻射到空間，所述高頻集成電路芯片的其余各電極通過金屬絲引線鍵合到所述封裝殼體的各對應(yīng)焊盤上，所述高頻集成電路芯片、所述垂直輻射天線和所述金屬絲引線外部包覆有封裝層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，所述封裝殼體上設(shè)置有導(dǎo)熱層，所述高頻集成電路芯片和/或所述垂直輻射天線固定在所述導(dǎo)熱層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊，其特征在于，所述導(dǎo)熱層為金屬導(dǎo)熱層。
7.一種集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊的封裝方法，其特征在于，包括：
S11：將集成型高頻集成電路芯片固定在封裝殼體上，所述集成型高頻集成電路芯片上設(shè)置有功能電路和垂直輻射天線組件，所述功能電路和所述垂直輻射天線組件位于同一平面，且所述功能電路和所述垂直輻射天線組件具有相同的襯底材料，所述功能電路的高頻輸出電極與所述垂直輻射天線組件的高頻輸入電極在所述集成型高頻集成電路芯片內(nèi)部互聯(lián)；
S12：將所述集成型高頻集成電路芯片的各電極通過金屬絲引線鍵合到所述封裝殼體的各對應(yīng)焊盤上；
S13：在所述封裝殼體內(nèi)注入封裝膠，將所述集成型高頻集成電路芯片和所述金屬絲引線包覆，形成集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊的封裝方法，其特征在于，所述步驟S11中將集成型高頻集成電路芯片固定在封裝殼體上的方法，包括：
將集成型高頻集成電路芯片固定在所述封裝殼體的導(dǎo)熱層上。
9.一種集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊的封裝方法，其特征在于，包括：
S21：將高頻集成電路芯片和垂直輻射天線分別固定在封裝殼體上，所述高頻集成電路芯片和所述垂直輻射天線位于同一平面；
S22：將所述高頻集成電路芯片的高頻輸出電極通過金屬絲引線鍵合到所述垂直輻射天線的高頻輸入電極上，將所述高頻集成電路芯片的其余各電極通過金屬絲引線鍵合到所述封裝殼體的各對應(yīng)焊盤上；
S23：在所述封裝殼體內(nèi)注入封裝膠，將所述高頻集成電路芯片、所述垂直輻射天線和所述金屬絲引線包覆，形成集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成垂直輻射天線的高頻集成電路模塊的封裝方法，其特征在于，所述步驟S21中將高頻集成電路芯片和垂直輻射天線分別固定在封裝殼體上的方法，包括：
將所述高頻集成電路芯片和/或所述垂直輻射天線固定在所述封裝殼體的導(dǎo)熱層上。
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