[發(fā)明專利]一種共口徑頻率可重構(gòu)片上縫隙陣列天線及使用方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810376898.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108711671B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周永剛;劉少斌;聞樂(lè)天;陳鑫;唐丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京航空航天大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q1/38 | 分類號(hào): | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/321;H01Q19/10;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 張弛 |
| 地址: | 210000 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 口徑 頻率 可重構(gòu)片上 縫隙 陣列 天線 使用方法 | ||
1.一種共口徑頻率可重構(gòu)片上縫隙陣列天線,其特征在于,包括從上到下依次層疊的硅基可重構(gòu)輻射器層、PCB饋線層、反射腔體;所述硅基可重構(gòu)輻射器層包括本征層、覆蓋在本征層上的絕緣隔離層,覆蓋在絕緣隔離層表面的金屬層;所述本征層中設(shè)有縫隙,縫隙中設(shè)有若干個(gè)成一列排列的S-PIN單元以及給S-PIN單元提供直流偏置的金屬跳線;通過(guò)使若干S-PIN單元中的一部分S-PIN單元導(dǎo)通、而另一個(gè)部分S-PIN單元截止,以控制陣列天線的工作頻率和S-PIN單元間距,最終實(shí)現(xiàn)縫隙陣列天線的頻率可重構(gòu);所述S-PIN單元設(shè)置6個(gè),當(dāng)陣列天線工作在低頻工作頻段,2個(gè)S-PIN單元正偏導(dǎo)通、4個(gè)S-PIN單元反偏截止,此時(shí)硅基可重構(gòu)輻射器層的金屬縫隙被分隔成了4個(gè)低頻縫隙單元;當(dāng)陣列天線工作在高頻工作頻段,4個(gè)S-PIN單元正偏導(dǎo)通,2個(gè)S-PIN單元反偏截止,此時(shí)輻射器層的金屬縫隙被分隔成了4個(gè)高頻縫隙單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列天線,其特征在于:所述S-PIN設(shè)置為N-P-N結(jié)構(gòu),即中間為P+區(qū)、P+區(qū)兩側(cè)為N+區(qū),且P+區(qū)與N+區(qū)之間為I區(qū);當(dāng)激發(fā)指定的S-PIN導(dǎo)通時(shí),將該指定的S-PIN中的P+區(qū)和N+區(qū)的載流子注入I區(qū);原本呈現(xiàn)絕緣介質(zhì)態(tài)的I區(qū)變成導(dǎo)通金屬態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列天線,其特征在于:對(duì)S-PIN單元提供直流偏置的金屬跳線位于絕緣隔離層內(nèi),且金屬跳線采用“蛇形彎曲”結(jié)構(gòu),金屬跳線與金屬層之間通過(guò)絕緣隔離層實(shí)現(xiàn)直流絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列天線,其特征在于:所述的PCB饋線層包括了與硅基可重構(gòu)輻射器層相連接的直流引線、兩種狀態(tài)下的共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)微波饋電裝置;通過(guò)共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的射頻地與金屬層之間的耦合來(lái)實(shí)現(xiàn)共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)到微帶線結(jié)構(gòu)的共地,所述微帶線結(jié)構(gòu)為PCB饋線層上的微帶線以及硅基可重構(gòu)輻射器層上覆蓋在絕緣隔離層表面的金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列天線,其特征在于:所述PCB饋線層下方設(shè)有金屬盒體,反射腔體設(shè)置在該金屬盒體中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列天線,其特征在于:在PCB饋線層采用了部分區(qū)域穿孔的處理,用以加工裝配時(shí)重構(gòu)輻射器層與PCB層之間的絕緣膠的排出。
7.一種如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的共口徑頻率可重構(gòu)片上縫隙陣列天線的使用方法,其特征在于:
當(dāng)陣列天線工作在低頻工作頻段,將其中特定S-PIN單元正偏導(dǎo)通、其余S-PIN單元反偏截止,正偏導(dǎo)通的S-PIN單元將縫隙“切割”成低頻縫隙單元,微波信號(hào)通過(guò)PCB饋線層耦合到低頻縫隙單元中后,將微波信號(hào)輻射至自由空間;而當(dāng)陣列天線工作在高頻工作頻段,將其中特定S-PIN單元正偏導(dǎo)通,其余S-PIN單元反偏截止,正偏導(dǎo)通的S-PIN單元“切割”成高頻縫隙單元,微波信號(hào)通過(guò)PCB饋線層耦合到高頻縫隙單元中后,將微波信號(hào)輻射至自由空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用方法,其特征在于:所述S-PIN單元設(shè)置6個(gè),當(dāng)陣列天線工作在低頻工作頻段,2個(gè)S-PIN單元正偏導(dǎo)通、4個(gè)S-PIN單元反偏截止,此時(shí)硅基可重構(gòu)輻射器層的金屬縫隙被分隔成了4個(gè)低頻縫隙單元,四路微波信號(hào)從信號(hào)源通過(guò)低頻端口通入共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)形式的微波傳輸線結(jié)構(gòu),通過(guò)PCB饋線層到硅基可重構(gòu)輻射器層的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),通過(guò)阻抗變換結(jié)構(gòu)將微波信號(hào)耦合到4個(gè)低頻縫隙單元中,最終將微波信號(hào)輻射至自由空間;而當(dāng)陣列天線工作在高頻工作頻段,4個(gè)S-PIN單元正偏導(dǎo)通,2個(gè)S-PIN單元反偏截止,此時(shí)輻射器層的金屬縫隙被分隔成了4個(gè)高頻縫隙單元,四路微波信號(hào)從信號(hào)源通過(guò)高頻端口通入共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)形式的微波饋電波導(dǎo)結(jié)構(gòu),通過(guò)PCB饋線層到硅基可重構(gòu)輻射器層的轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),通過(guò)阻抗變換結(jié)構(gòu)將微波信號(hào)耦合到4個(gè)高頻縫隙單元中,最終將微波信號(hào)輻射至自由空間。
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