[發(fā)明專利]一種鉿摻雜氧化鋅阻變層的阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810375830.0 | 申請日： | 2018-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN108831992B | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉蔥;張立;徐中;周易;熊文 | 申請（專利權(quán)）人： | 湖北大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武漢河山金堂專利事務(wù)所(普通合伙) 42212 | 代理人： | 丁齊旭 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 摻雜 氧化鋅 阻變層 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種鉿摻雜氧化鋅阻變層的阻變存儲器，依次由硅襯底、底電極、阻變層和頂電極組成的疊層結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述底電極為氮化鈦，厚度為50納米～300納米；所述阻變層為鉿摻雜氧化鋅，厚度為10納米～50納米，鉿摻雜含量為3％～15％；所述頂電極為金屬鉑電極，厚度為100納米～300納米；上述底電極、阻變層、頂電極是利用磁控濺射技術(shù)或原子層沉積的方法制備的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鉿摻雜氧化鋅阻變層的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變層鉿摻雜含量為6％～10％。
3.一種鉿摻雜氧化鋅阻變層的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括：
1)、用超聲儀清洗硅襯底；
2)、將作為底電極的TiN靶材料放在靶臺上，在硅襯底上利用磁控濺射技術(shù)或原子層沉積制備底電極，磁控濺射真空度小于10-4Pa、襯底溫度為室溫、工作壓強(qiáng)為0.3～0.8Pa、濺射功率為50～100W；
3)、在上述底電極上利用磁控濺射技術(shù)或原子層沉積的方法制備阻變層，將作為阻變層的ZnO靶材料放在靶臺上，同時(shí)將摻雜靶材料Hf靶材放在靶臺上，對Hf靶材與ZnO靶材選用不同功率比例同時(shí)濺射，利用不同比例濺射功率來制備摻雜含量為3％～15％的阻變層，磁控濺射真空度小于10-4Pa、襯底溫度為室溫、工作壓強(qiáng)為0.3～0.8Pa、Hf靶材的濺射功率為10～30W，ZnO靶材的濺射功率為50～80W；
4)、在上述阻變層上利用磁控濺射技術(shù)或原子層沉積的方法制備阻變層，將作為頂電極的電極靶材料放在靶臺上，濺射真空度小于10-4Pa、襯底溫度為室溫、工作壓強(qiáng)為0.3～0.8Pa、Pt靶材的濺射功率為100～150W。
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