[發明專利]超支化硅氧烷聚合物及其制備方法

有效

• 申請號: 201810375659.3
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108659230B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 劉宇宙;劉寧;韓曄
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超支化硅氧烷聚合物，所述超支化硅氧烷聚合物至少部分包括式Ⅰ所示通式結構：

式Ⅱ為式Ⅰ的具體分子結構，其中，

R₁、R₂、R₃、R₄各自獨立地選自烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、環烯基、取代的環烯基、雜環基、取代的雜環基、芳基、取代的芳基、雜芳基、取代的雜芳基、環己基、取代的環己基，或上述基團的組合。

2.根據權利要求1所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄各自獨立地選自苯基或取代的苯基。

3.根據權利要求1所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄各自獨立地選自芐基或取代的芐基。

4.根據權利要求1所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，所述取代的烷基、取代的烯基、取代的雜環基、取代的芳基、取代的雜芳基和取代的環己基選自被鹵素、羥基、直鏈烷烴或苯環取代。

5.根據權利要求3所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，所述取代的芐基為被鹵素、羥基、直鏈烷烴或苯環取代。

6.根據權利要求1所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄各自獨立地選自取代的C_1-3烷基，其中，所述取代的C_1-3烷基選自被鹵素、羥基、直鏈烷烴或苯環取代。

7.根據權利要求2所述的超支化硅氧烷聚合物，其特征在于，R₁、R₂、R₃、R₄各自獨立地選自取代的苯基，其中，所述取代的苯基選自被鹵素、羥基、直鏈烷烴或苯環取代。

8.一種負載金屬粒子的超支化硅氧烷聚合物，所述超支化硅氧烷聚合物如權利要求1-3任一所述，所述超支化硅氧烷聚合物負載金屬粒子后包括式III所示通式結構，

9.一種制備超支化硅氧烷聚合物的方法，其特征在于，通過0.04-0.2mmol/mL的二甲基硅烷基籠型聚倍半硅氧烷與0.16-0.8mmol/mL不同的二烷氧基硅烷，以及反應物總摩爾量1％的三(五氟苯基)硼烷進行皮埃爾-羅賓斯坦反應，以便獲得如權利要求1或2所述的超支化硅氧烷聚合物。

10.一種超支化硅氧烷聚合物，所述超支化硅氧烷聚合物至少部分的包括式Ⅷ所示通式結構：

11.一種制備超支化硅氧烷聚合物的方法，其特征在于，使權利要求1-3任一所述的超支化硅氧烷聚合物與亞磷酸三乙酯的邁克爾-阿布州夫反應，以便獲得權利要求10所述的超支化硅氧烷聚合物。

12.一種硅氧烷小分子，所述硅氧烷小分子具有式Ⅸ所示通式，

式中，

13.一種制備如權利要求12所述硅氧烷小分子的方法，其特征在于，通過二甲基硅烷基籠型聚倍半硅氧烷與二苯基二甲氧基硅烷，以及反應物總摩爾量1％的三(五氟苯基)硼烷進行皮埃爾-羅賓斯坦反應制得，所述二甲基硅烷基籠型聚倍半硅氧烷的濃度為權利要求9中二甲基硅烷基籠型聚倍半硅氧烷濃度的1/30，所述二苯基二甲氧基硅烷的濃度為權利要求9中不同的二烷氧基硅烷濃度的1/30。