[發明專利]蒸發源的蒸發速率控制設備、方法、裝置及存儲介質在審
| 申請號: | 201810374480.6 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN108342712A | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 王曉尉 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒸發源 鍍膜參數 蒸發 控制器 加熱功率調整 速率控制設備 存儲介質 在線采集 采集基板 發送 | ||
1.一種蒸發源的蒸發速率控制設備,其特征在于,包括:相連接的控制器和在線采集儀;
在線采集儀用于采集基板的鍍膜參數,并將所述鍍膜參數發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據接收的鍍膜參數生成加熱功率調整量,并基于所述加熱功率調整量對蒸發源的蒸發速率進行控制。
2.根據權利要求1所述的設備,其特征在于,還包括:膜厚控制儀和采集部件;
所述采集部件,用于采集鍍著第一目標鍍膜元素所引起的振蕩頻率;
所述膜厚控制儀分別與所述控制器和所述采集部件連接,用于從采集部件獲取振蕩頻率的變化量,根據所述變化量得到所述第一目標鍍膜元素的厚度,并將所述第一目標鍍膜元素的厚度發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據所述鍍膜參數和第一目標鍍膜元素的厚度生成所述加熱功率調整量。
3.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,所述采集部件包括探頭、用于至少部分容納所述探頭的探頭腔室以及與探頭連接的振蕩器;
所述探頭,用于采集第一目標鍍膜元素的分壓;
連接于所述探頭的所述振蕩器,用于在所述第一目標鍍膜元素的分壓作用下,進行振蕩。
4.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,所述采集部件的數量為至少兩個;
所述采集部件的探頭腔室與所述蒸發源間的距離在設定距離范圍內。
5.根據權利要求4所述的設備,其特征在于,還包括第一隔離組件;
所述第一隔離組件安裝在CIGS腔室與所述探頭腔室之間;
所述CIGS腔室用于容納所述蒸發源;
其中,所述第一隔離組件用于切換所述探頭腔室與所述CIGS腔室間的連通狀態。
6.根據權利要求2所述的設備,其特征在于,還包括:采樣部件和離線采集儀;
所述采樣部件,用于鍍著第二目標鍍膜元素;
所述離線采集儀分別與所述采樣部件和控制器連接,用于采集所述采樣部件上的鍍膜采樣參數,并發送至所述控制器;
所述控制器,用于根據接收的鍍膜參數、第一目標鍍膜元素的厚度和鍍膜采樣參數生成所述加熱功率調整量。
7.根據權利要求6所述的設備,其特征在于,采樣部件包括:樣片、用于裝載所述樣片的樣片架和第二隔離組件;
所述樣片架裝載所述樣片的一側與所述第二隔離組件貼合;
所述第二隔離組件適于設置在CIGS腔室外壁上,用于切換所述樣片與所述CIGS腔室的接觸狀態;
所述第二隔離件開啟時,所述樣片與所述CIGS腔室接觸,用于鍍著所述第二目標鍍膜元素。
8.根據權利要求7所述的設備,其特征在于,所述第二隔離組件與所述控制器連接,用于根據所述控制器的控制指令,切換所述接觸狀態。
9.根據權利要求7所述的設備,其特征在于,還包括真空部件;
所述真空部件分別與所述樣片架和所述CIGS腔室的密封圈連接,用于對所述樣片架與所述第二隔離組件間的空間和所述CIGS腔室抽真空,并保持樣片架與所述第二隔離組件間的空間和CIGS腔室的真空度相同。
10.根據權利要求6所述的設備,其特征在于,所述在線采集儀為在線光學膜厚采集儀或者在線X射線熒光光譜分析采集儀;
所述離線采集儀為離線光學膜厚采集儀或者通量樣片檢測離線X射線熒光光譜分析采集儀。
11.一種蒸發源的蒸發速率控制方法,其特征在于,包括:
獲取鍍膜參數;
根據所述鍍膜參數,生成加熱功率調整量;
基于所述加熱功率調整量對蒸發源的蒸發速率進行控制。
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