[發明專利]OLED顯示面板在審
| 申請號: | 201810374112.1 | 申請日: | 2018-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN108598115A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 雷露;孫業熙 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;李雯雯 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明顯示 有效顯示區域 手機 陽極層 膜層 簡化制作工藝 電子器件 視覺體驗 異形切割 正常顯示 制程 制作 包圍 應用 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括至少一個透明顯示區域(B)及包圍所述透明顯示區域(B)并布滿該OLED顯示面板的有效顯示區域(A);
所述有效顯示區域(A)內設置多個OLED(D),用于顯示畫面;所述OLED(D)包括OLED陽極層(4)與OLED發光層(6);
除所述OLED陽極層(4)與OLED發光層(6)以外,所述有效顯示區域(A)與所述透明顯示區域(B)所設置的膜層相同。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明顯示區域(B)包括自下而上依次層疊的基板(1)、薄膜晶體管層(2)、平坦化層(3)、有機光阻層(5)、OLED陰極層(7)及封裝層(8);
所述有效顯示區域(A)包括:
基板(1);
層疊于所述基板(1)上的薄膜晶體管層(2);
層疊于所述薄膜晶體管層(2)上的平坦化層(3),位于所述有效顯示區域(A)內的平坦化層(3)開設有第一過孔(31);
設于所述平坦化層(3)上并經由所述第一過孔(31)連接所述薄膜晶體管層(2)的OLED陽極層(4);
層疊于所述薄膜晶體管層(2)與OLED陽極層(4)上的有機光阻層(5),位于所述有效顯示區域(A)內的有機光阻層(5)開設有第二過孔(51),所述第二過孔(51)暴露出所述OLED陽極層(4);
填充于所述第二過孔(51)內并連接所述OLED陽極層(4)的OLED發光層(6);
層疊于所述有機光阻層(5)與OLED發光層(6)上的OLED陰極層(7);
以及層疊于所述OLED陰極層(7)上的封裝層(8);
在所述有效顯示區域(A)內,所述OLED陽極層(4)、OLED發光層(6)與OLED陰極層(7)構成所述OLED(D)。
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明顯示區域(B)與有效顯示區域(A)內相同的膜層在同一制程中制作完成。
4.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明顯示區域(B)位于OLED顯示面板的上方邊緣。
5.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述基板(1)的材料為聚酰亞胺。
6.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述平坦化層(3)與有機光阻層(5)的材料均為透明有機材料。
7.如權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED陽極層(4)的材料為氧化銦錫和銀的層疊組合。
8.一種手機,其特征在于,包括如權利要求1至7任一項所述的OLED顯示面板,一所述透明顯示區域(B)下方對應安放一前置于手機的電子器件(E)。
9.如權利要求8所述的手機,其特征在于,所述透明顯示區域(B)的形狀及大小與對應安放于該透明顯示區域(B)下方的前置于手機的電子器件(E)的形狀及大小相匹配。
10.如權利要求9所述的手機,其特征在于,所述前置于手機的電子器件(E)為攝像頭、距離傳感器、紅外傳感器與環境光傳感器之中的至少一種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810374112.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





