[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體存儲器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810373132.7
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108735760B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金光浩;柳志桓;曹升鉉
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B43/27
• 分類號: H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;趙南

1.一種三維半導(dǎo)體存儲器裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括在所述襯底的第一區(qū)上豎直地堆疊在彼此的頂部上的電極；

豎直結(jié)構(gòu)，其穿過所述堆疊結(jié)構(gòu)，所述豎直結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體圖案；

數(shù)據(jù)存儲層，其位于所述第一半導(dǎo)體圖案與所述電極中的至少一個電極之間；

晶體管，其位于所述襯底的第二區(qū)上；以及

第一接觸件，其耦接至所述晶體管，所述第一接觸件包括第一部分和所述第一部分上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分中的每一個的直徑隨著與所述襯底相距的豎直距離增大而增大，并且所述第一部分的上部的直徑大于所述第二部分的下部的直徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，還包括：

第二接觸件，其耦接至所述堆疊結(jié)構(gòu)的電極中的至少一個電極，

其中，所述第二接觸件的側(cè)壁具有連續(xù)輪廓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述第一接觸件的側(cè)壁在所述第一部分與所述第二部分之間的界面處具有臺階狀輪廓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，

所述晶體管包括有源區(qū)和所述有源區(qū)上的柵電極，所述晶體管的有源區(qū)具有源極/漏極區(qū)，并且

所述第一接觸件接觸所述源極/漏極區(qū)和所述柵電極中的對應(yīng)的一個。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，還包括：

所述第二區(qū)上的緩沖層和所述緩沖層上的蝕刻停止層，其中

所述緩沖層覆蓋所述晶體管，并且

所述第一接觸件穿過所述蝕刻停止層和所述緩沖層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，

所述晶體管包括柵電極和源極/漏極區(qū)，并且

所述蝕刻停止層的頂表面在所述晶體管的柵電極上的水平高于在所述晶體管的源極/漏極區(qū)上的水平。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述緩沖層具有平坦化的頂表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述堆疊結(jié)構(gòu)不延伸至所述第二區(qū)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，還包括：

所述襯底的第三區(qū)上的偽結(jié)構(gòu)，其中，

所述堆疊結(jié)構(gòu)延伸至所述襯底的第三區(qū)上，并且在所述第三區(qū)上具有臺階狀結(jié)構(gòu)，并且

所述偽結(jié)構(gòu)穿過所述第三區(qū)上的堆疊結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，所述第二區(qū)是行解碼器區(qū)、頁緩沖器區(qū)、列解碼器區(qū)和控制電路區(qū)之一。

11.一種三維半導(dǎo)體存儲器裝置，包括：

襯底；

所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括在所述襯底的第一區(qū)上豎直地堆疊在彼此的頂部上的電極；

穿過所述堆疊結(jié)構(gòu)的溝道結(jié)構(gòu)；

所述襯底的第二區(qū)上的晶體管；

所述堆疊結(jié)構(gòu)和所述晶體管上的層間電介質(zhì)層；

第一接觸件，其穿過所述層間電介質(zhì)層，所述第一接觸件耦接至所述晶體管，所述第一接觸件的側(cè)壁具有臺階狀輪廓；以及

第二接觸件，其穿過所述層間電介質(zhì)層，所述第二接觸件耦接至所述堆疊結(jié)構(gòu)的電極中的至少一個電極，并且所述第二接觸件的側(cè)壁具有連續(xù)輪廓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維半導(dǎo)體存儲器裝置，其中，

所述第一接觸件包括第一部分和所述第一部分上的第二部分，并且

所述第一部分的上部的直徑大于所述第二部分的下部的直徑。