[發明專利]用于確定填充水平的方法和填充水平測量設備

有效

• 申請號: 201810373002.3
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108827423B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: M.科杰特-克斯巴;V.皮紹
• 申請（專利權）人: 克洛納股份公司
• 主分類號: G01F23/284
• 分類號: G01F23/284;G01S13/88
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 梁冰;李雪瑩

1.用于利用填充水平測量設備（2）來確定布置在容器（3）中的過程介質（4、4a、4b）的填充水平的方法（1），其中，所述填充水平測量設備（2）構型為TDR填充水平測量設備，其中，所述填充水平測量設備（2）具有至少一個用于引導電磁信號的信號線（5）、信號線頭部（6）和電子單元（7），其中，所述信號線（5）伸入到所述過程介質（4、4a、4b）中，并且其中，所述方法（1）至少包括下述步驟：

- 通過所述電子單元（7）產生（10）具有振幅A_S的脈沖形發送信號，其中，所述發送信號作為可變振幅的測量信號沿著所述信號線（5）傳播，

- 通過所述電子單元（7）檢測并且評估（11）具有振幅A_refl的至少一個反射信號，其中，所述反射信號對應于所述測量信號在第一介質與第二介質之間的界面處的反射，其中，所述第一介質具有第一阻抗z₀，所述第二介質具有第二阻抗z₁，

其中，所述第二介質的相對介電常數ε_r至少根據穿過所述第一介質傳送的測量信號的振幅和所述反射信號的振幅A_refl來確定，

其中，所述信號線頭部（6）經由過程連接部（9）與所述容器（3）連接；所述第二介質是氣態介質（8），所述氣態介質布置在所述過程介質（4、4a、4b）上方；并且，所述測量信號在所述過程連接部（9）與所述容器（3）的內部的界面處發生反射，

其中，根據下述公式來確定（12）所述氣態介質（8）的相對介電常數ε_r,gas:

，

其中，A_fl是在所述過程連接部（9）與所述容器（3）的內部的界面處反射的反射信號的振幅，其中，A_S是所產生的發送信號的振幅，其中，α₀表征所述測量信號在所述信號線頭部（6）內的衰減，其中，z_{1_gas}是在所述過程介質（4、4a、4b）上方的氣態介質（8）的阻抗，并且其中，z_{0_SK}是所述信號線頭部（6）的阻抗。

2.根據權利要求1所述的方法（1），其特征在于，所述穿過所述第一介質傳送的測量信號在考慮由于沿著所述信號線（5）傳播和/或由于在另外的界面處的至少一個另外的反射而造成的衰減的情況下由所述發送信號產生。

3.根據權利要求1或者2所述的方法（1），其特征在于，為了確定所述第二介質的相對介電常數ε_r附加地考慮所述第一阻抗z₀與所述第二阻抗z₁的比例。