[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810372943.5 | 申請日： | 2018-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN109860112A | 公開（公告）日： | 2019-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 洪志昌;古淑瑗;楊宜偉;蕭怡瑄;張銘慶;陳嘉仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 源極/漏極 金屬柵極結(jié)構(gòu) 層間介電層 鰭片 半導(dǎo)體裝置 開口 沉積 替換 制作 切割深度控制 隔離 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 包圍 隔離材料 金屬柵極 絕緣材料 基材 切割 伸出 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，其特征在于，該制作方法包含：
形成一第一鰭片與一第二鰭片，其中該第一鰭片與該第二鰭片分別從一基材突伸出；
成長多個源極/漏極元件于該第一鰭片的兩端和該第二鰭片的兩端上；
沉積一層間介電層，其中該層間介電層跨越該第一鰭片和該第二鰭片，并包圍所述多個源極/漏極元件；
形成一金屬柵極結(jié)構(gòu)，其中該金屬柵極結(jié)構(gòu)跨越該第一鰭片和該第二鰭片，并被該層間介電層所包圍，且該金屬柵極結(jié)構(gòu)是形成于所述多個源極/漏極之間；
進行一替換操作，以將該層間介電層的一部分替換為一隔離材料，而形成一隔離部分，其中該隔離部分接觸該金屬柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的每一者，且該金屬柵極結(jié)構(gòu)是位于該第一鰭片與該第二鰭片之間；
進行一金屬柵極切割操作于一切割區(qū)域，而形成一第一開口于該金屬柵極結(jié)構(gòu)中與一第二開口于該隔離部分中，其中該切割區(qū)域是延伸穿過該金屬柵極結(jié)構(gòu)至該隔離部分，且相較于對該金屬柵極結(jié)構(gòu)，該金屬柵極切割操作的一蝕刻劑對該隔離部分具有較低的一蝕刻選擇率，以致于該第一開口的一第一深度是大于該第二開口的一第二深度；以及
以一絕緣材料填充該第一開口與該第二開口。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
