[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810372612.1
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN110098219A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史文
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王雯雯

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、平坦層、像素電極層以及像素界定層；

所述平坦層連接在所述基板上，所述平坦層的上表面圖案化有多個(gè)凹槽以及多個(gè)連接過孔，所述連接過孔從所述平坦層的上表面貫穿至所述基板；

所述像素電極層連接在所述凹槽外側(cè)且位于所述平坦層的上表面上，并且所述像素電極層覆蓋所述連接過孔；

所述像素界定層位于所述連接過孔處的像素電極層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度為50nm-150nm，所述凹槽的槽口的直徑為6μm-20μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平坦層的材料為有機(jī)光阻材料或無機(jī)材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平坦層的材料包括氧化硅和/或氮化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極層為透明導(dǎo)電膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極為導(dǎo)電金屬氧化物和/或高導(dǎo)有機(jī)導(dǎo)電材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極層為反射型導(dǎo)電膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極為高導(dǎo)電金屬薄膜材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素界定層為疏液性像素界定層。

10.一種像素結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上沉積一層平坦層；

對(duì)所述平坦層的上表面進(jìn)行圖案化，使得所述平坦層的上表面形成多個(gè)凹槽以及多個(gè)連接過孔，所述連接過孔從所述平坦層的上表面貫穿至所述基板；

在所述平坦層上制備像素電極層，使所述像素電極層覆蓋所述平坦層的上表面和所述連接過孔；

對(duì)所述像素電極層進(jìn)行圖案化，使各個(gè)所述凹槽處的所述像素電極層均隔斷；

在各個(gè)所述連接過孔處的像素電極層上制備像素界定層。