[發明專利]多晶硅的還原生產在審
| 申請號： | 201810370079.5 | 申請日： | 2018-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN110395735A | 公開（公告）日： | 2019-11-01 |
| 發明（設計）人： | 齊林喜;陳建宇;郝愛科;趙亮 | 申請（專利權）人： | 內蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京迎碩知識產權代理事務所(普通合伙) 11512 | 代理人： | 張群峰;錢揚保 |
| 地址： | 015543 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 還原爐 多晶硅 混合氣體原料 有效單位 氫氣 硅芯棒 控制爐 還原 多晶硅體 三氯氫硅 生長表面 溫度降低 硅芯 生長 生產 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅的還原生產方法，包括：
提供還原爐；
將多個硅芯棒安裝在還原爐中，使得爐內有效單位體積內硅芯生長表面面積在0.005cm2/cm3至0.060cm2/cm3之間；
向還原爐中通入氫氣和三氯氫硅混合氣體原料；
控制還原爐內溫度在1100℃左右；
在硅芯棒上生長多晶硅體，直至爐內有效單位體積內最終長成的多晶硅體表面積達到0.08cm2/cm3至0.30cm2/cm3之間；
停止通入混合氣體原料，并切換為通入氫氣，直至還原爐內溫度降低至800℃左右。
2.根據權利要求1的方法，其中所述多個硅芯棒包括豎直硅芯棒和兩兩橋接豎直硅芯棒的橫橋硅芯棒。
3.根據權利要求1的方法，其中在還原爐中單位體積所通入的混合氣體原料濃度保持為0.2～0.33g/cm3。
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