[發明專利]OLED器件有效
| 申請號: | 201810368599.2 | 申請日: | 2018-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN108598110B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 邴一飛 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;程曉 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 器件 | ||
本發明提供一種OLED器件,包括襯底基板、陽極層、像素定義層以及有機功能層,所述像素定義層由疏水堤壩層和親水堤壩層組成,所述疏水堤壩層上設有呈階梯狀的多個臺階平臺,所述疏水堤壩層通過所述多個臺階平臺在所述陽極層上方定義出上寬下窄的像素開口區域,親水堤壩層設于每一臺階平臺的上表面上,從而在采用噴墨打印工藝制作有機功能層時,可以使形成有機功能層的油墨材料在所述像素開口區域內的膜面平整,進而能夠實現有機功能層在像素開口區域內均勻成膜,有效改善OLED器件的發光均勻性并能準確控制頂發射型OLED器件的微腔效應。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種有機功能層均勻成膜的OLED 器件。
背景技術
有機電致發光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)屬于一種新型電流型半導體發光器件,是通過控制該器件載流子的注入和復合激發有機材料發光顯示,屬于一種自主發光技術。與被動發光的液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,自主發光的OLED顯示器具有響應速度快、對比度高、視角廣等優點,并且容易實現柔性顯示,被業內普遍看好,業界一致認為OLED顯示器極有可能成為下一代顯示技術的主流產品。
OLED具有依次形成于基板上的陽極、有機功能層和陰極。其中有機功能層,一般包括空穴注入層(Hole Inject Layer,HIL)、空穴傳輸層(Hole Transport Layer,HTL)、發光層(Emitting layer,EML)、電子注入層 (Electron Inject Layer,EIL)以及電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL)。目前,OLED各功能材料層與陰極金屬層薄膜均通過真空熱蒸鍍工藝制備,即在真空腔體內加熱有機小分子材料,使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽,通過金屬掩模版的開孔沉積在玻璃基板上。但由于真空熱蒸發制備成本高,限制了OLED顯示器的大范圍商業化。
噴墨打印(Ink-jet Printing,IJP)具有材料利用率高等優點,是解決大尺寸OLED顯示器成本問題的關鍵技術,IJP技術在OLED器件發光層的制備中,相比于傳統的真空蒸鍍工藝,具有節省材料、制程條件溫和、成膜更均勻等諸多優點,所以更具應用潛力。此方法是利用多個噴嘴將功能材料油墨滴入預定的像素區域,之后通過干燥獲得所需圖案薄膜。
在應用于IJP成膜工藝的基板上,通常會制作凹槽,用來限制住油墨,這樣溶解有OLED材料的油墨液滴能夠流進凹槽內,通過干燥烘烤后,油墨收縮在該凹槽限制的范圍內形成薄膜。請參閱圖1,所述凹槽450由陽極層 210兩邊的堤壩(Bank)層400在玻璃基板100和陽極層210上圍出,有機功能層220被堤壩層400圍攏在陽極層210之上。
然而由于不同油墨的親水性不同,如圖2所示,對于親水性好的油墨,會在堤壩層400的傾斜內面上爬坡較高,形成凹形膜層220’。如圖3所示,對于親水性不好的油墨,會在堤壩層400的凹槽450內形成凸形膜層220”。而有機功能層凹凸不平,不僅會影響OLED器件發光的均勻性,對于頂發射 (Top emission)型的OLED器件,還會嚴重的影響其微腔效應,使OLED 器件的品質下降。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED器件,能夠實現有機功能層在像素開口區域內均勻成膜,有效改善OLED器件的發光均勻性并能準確控制頂發射型OLED器件的微腔效應。
為實現上述目的,本發明提供了一種OLED器件,包括襯底基板、設置于襯底基板上的陽極層、設于襯底基板及陽極層上的像素定義層以及設于陽極層上的有機功能層;
所述像素定義層包括疏水堤壩層,所述疏水堤壩層上設有呈階梯狀的多個臺階平臺,所述疏水堤壩層通過所述多個臺階平臺在陽極層上方定義出上寬下窄的像素開口區域,每一臺階平臺具有上表面及與上表面連接的側面,每一臺階平臺的上表面上均設有親水堤壩層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





