[發(fā)明專利]一種強吸收圓二色性的單層三折孔納米薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810367398.0
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN108415116B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張中月;馮曉鈺;王菲;趙文靜
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西師范大學(xué)
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;C23C14/30;C23C14/18;C23C14/04
• 代理公司: 西安智萃知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 61221
• 代理人: 趙雙

1.一種強吸收圓二色性的單層三折孔納米薄膜，其特征在于：該單層三折孔納米薄膜由多個相同的納米單元(1)上下、左右組合構(gòu)成，且呈單層手性結(jié)構(gòu)；

所述納米單元(1)的橫截面為正方形，所述納米單元(1)上開設(shè)有三折孔(2)；

所述三折孔(2)具有手性特征，且所述三折孔(2)的長度方向與正方形的邊長平行；

所述納米單元(1)沿P_x、P_y方向的邊長均為620nm，P_x為納米單元的長，P_y為納米單元的寬，所述納米單元(1)的高度t為60nm～100nm；

所述三折孔(2)由一矩形孔(25)、第一三角形孔(21)、第二三角形孔(22)、第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)組成；

所述第一三角形孔(21)與第二三角形孔(22)大小相同，所述第三三角形孔(23)與第四三角形孔(24)大小相同；

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底邊分別與矩形孔(25)的兩個寬邊相切，且所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底邊與矩形孔(25)的寬邊相等；

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底邊分別與矩形孔(25)的兩個長邊相切，且第一三角形孔(21)與第三三角形孔(23)相鄰，第二三角形孔(22)與第四三角形孔(24)相鄰；

所述矩形孔(25)的長邊方向與P_x方向之間的夾角α為0°～180°，所述矩形孔(25)的長度l為520nm，寬度w為200nm；

所述第一三角形孔(21)和第二三角形孔(22)的底邊d₁、d₂均為150nm，孔高h(yuǎn)₁、h₂均為100nm；

所述第三三角形孔(23)和第四三角形孔(24)的底邊d₃、d₄均為200nm，孔高h(yuǎn)₃和h₄均為75nm。

2.一種權(quán)利要求1所述單層三折孔納米薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、甩膠后烘：用甩膠機在基底上甩電子束負(fù)膠SU-8后，放置在熱板上烘烤；

步驟二、曝光：對步驟一烘烤后的基底，用圖形發(fā)生器設(shè)計如權(quán)利要求1所述單層三折孔納米薄膜圖形，并用電子顯微鏡曝光圖形，得到曝光后的基底；

步驟三、顯定影后烘：室溫條件下，將步驟二曝光后的基底先放入顯影液中浸泡顯影，再放入定影液中浸泡，最后放置在熱板上烘烤；

步驟四、真空鍍膜：將步驟三烘烤后的基底放入電子束真空蒸發(fā)鍍膜機中，先抽真空，再依次蒸鍍鈦和金，最后冷卻10min～20min后取出；

步驟五、溶膠后吹干：先將步驟四鍍膜后的基底置于去膠液中，直至電子束負(fù)膠SU-8完全溶解，最后進行吹干，得到單層三折孔納米薄膜。

3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟一之前還包括基底清洗步驟；

所述基底清洗步驟為：將基底放入洗滌液中清洗，再依次用去離子水、丙酮、酒精、去離子水超聲清洗，最后吹干。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述基底為ITO玻璃，所述ITO玻璃的透射率大于83％。

5.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟一中甩電子束負(fù)膠SU-8的厚度為200nm。

6.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟四中蒸鍍鈦的厚度為10nm，蒸鍍金的厚度為80nm。