[發(fā)明專利]基片處理裝置和基片處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810365860.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108735630B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 川原幸三;飯?zhí)锍烧?/a>;下川大輔;大村和久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙的基片處理裝置。液體處理單元(U1)包括:保持晶片(W)的保持部(23);從前端部(41)對(duì)保持于保持部(23)的晶片(W)排出涂敷液的噴嘴(40);使噴嘴(40)移動(dòng)到晶片(W)的上方的驅(qū)動(dòng)部(30);和檢測(cè)由驅(qū)動(dòng)部(30)移動(dòng)的噴嘴(40)的前端部(41)的狀態(tài)的噴嘴傳感器(60)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及基片處理裝置和基片處理方法。
背景技術(shù)
在專利文獻(xiàn)1中,公開了在基片的表面將涂敷液以螺旋狀涂敷(進(jìn)行螺旋涂敷)的基片處理裝置。在螺旋涂敷中,在基片的旋轉(zhuǎn)中,在旋轉(zhuǎn)軸與基片的周緣之間,沿基片的表面在規(guī)定的方向使排出嘴移動(dòng),同時(shí)將涂敷液從排出嘴排出。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2016-010796號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
此處,在螺旋涂敷中,排出嘴與基片的間隙的形成膜厚大致一致。這樣,螺旋涂敷中,排出嘴與基片的間隙直接對(duì)形成膜厚造成影響,因此需要對(duì)該間隙高精度地進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明鑒于上述問題而提出,其目的在于高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙。
用于解決課題的技術(shù)方案
本發(fā)明的一個(gè)方式的基片處理裝置包括:保持基片的保持部;對(duì)保持于保持部的基片從前端部排出涂敷液的至少一個(gè)液體接觸型的排出嘴;使排出嘴在基片的上方移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部;和檢測(cè)驅(qū)動(dòng)部移動(dòng)的排出嘴的前端部的狀態(tài)的第一傳感器。
本發(fā)明的一個(gè)方式的基片處理裝置中,由驅(qū)動(dòng)部移動(dòng)的排出嘴的前端部的狀態(tài)由第一傳感器檢測(cè)。由此,例如,能夠取得與排出嘴的間隔距離、排出嘴的前端部的水平度、或固接于前端部的涂敷液的狀態(tài)等的信息,使用這些信息,能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定涂敷液排出時(shí)的排出嘴與基片的間隙。如上所述,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式的基片處理裝置,能夠高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙。
第一傳感器可以配置在由驅(qū)動(dòng)部移動(dòng)的排出嘴的移動(dòng)路徑的下方。利用驅(qū)動(dòng)部移動(dòng)的排出嘴從基片的上方(即從排出嘴的下部即前端部)排出涂敷液,通過第一傳感器配置在排出嘴的移動(dòng)路徑的下方,能夠用第一傳感器很好地檢測(cè)排出嘴的前端部的狀態(tài)。即,能夠更高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙。
驅(qū)動(dòng)部可以使排出嘴移動(dòng),使得能夠由第一傳感器檢測(cè)前端部的多個(gè)部位的狀態(tài)。難以使排出嘴的前端部完全平坦,在前端部的區(qū)域間可能產(chǎn)生例如數(shù)十μm程度的凹凸。由此,通過利用掃描動(dòng)作由第一傳感器檢測(cè)前端部的多個(gè)部位的狀態(tài),能夠考慮上述凹凸地設(shè)定排出嘴與基片的間隙。
上述基片處理裝置可以具有多個(gè)所述排出嘴,驅(qū)動(dòng)部從多個(gè)排出嘴中選擇至少1個(gè)排出嘴,使選擇出的該排出嘴經(jīng)第一傳感器的檢測(cè)范圍向基片的上方移動(dòng)。由此,能夠例如對(duì)每個(gè)涂敷液準(zhǔn)備排出嘴,針對(duì)各排出嘴設(shè)定排出嘴與基片的間隙。
上述基片處理裝置可以還具有檢測(cè)從基片起的間隔距離的第二傳感器,驅(qū)動(dòng)部具有保持排出嘴和第二傳感器的臂部,由臂部使排出嘴和第二傳感器移動(dòng)。由此,能夠利用與排出嘴一起被臂部保持的第二傳感器,檢測(cè)與基片的間隔距離。即,能夠適當(dāng)?shù)卮_定排出嘴與基片的間隔距離,更高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙。
上述基片處理裝置可以還具有控制部,驅(qū)動(dòng)部使第二傳感器經(jīng)第一傳感器的檢測(cè)范圍向基片的上方移動(dòng),控制部執(zhí)行下述處理:從第一傳感器和第二傳感器的至少任一者取得第一傳感器與第二傳感器的間隔距離即傳感器間隔距離;從第一傳感器取得第一傳感器與排出嘴的間隔距離即噴嘴間隔距離;和基于傳感器間隔距離和噴嘴間隔距離,導(dǎo)出第二傳感器與排出嘴的安裝位置之差。這樣,通過導(dǎo)出第二傳感器與排出嘴的安裝位置之差即安裝差,能夠基于上述第二傳感器的檢測(cè)結(jié)果,高精度地確定排出嘴與基片的間隔距離。由此,能夠更高精度地調(diào)整排出嘴與基片的間隙。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810365860.3/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





