[發(fā)明專利]一種多孔氮化硅陶瓷的表面金屬化方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810365522.X | 申請(qǐng)日: | 2018-04-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108516871B | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋曉國;趙一璇;胡宇;許國敬;胡勝鵬;牛紅偉;付偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(威海) |
| 主分類號(hào): | C04B41/88 | 分類號(hào): | C04B41/88 |
| 代理公司: | 威海科星專利事務(wù)所 37202 | 代理人: | 陳小媛 |
| 地址: | 264200 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多孔 氮化 陶瓷 表面 金屬化 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種多孔氮化硅陶瓷表面金屬化方法,包括金屬化粉末制備、基材的選用與處理、金屬化粉末的涂覆與控制、表面金屬化處理等步驟,其中本發(fā)明的金屬化粉末選用粒徑為20 nm~80 nm的納米Si3N4顆粒、10μm~100μm Si粉、10μm~100μm Ti粉,其中Si3N4的質(zhì)量百分比為1~10 wt.%,Si粉的質(zhì)量百分比為1~10 wt.%,余量為Ti粉。本發(fā)明的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了多孔氮化硅陶瓷表面的改性,可在多孔氮化硅陶瓷的表面獲得一層均勻、致密且與陶瓷基體之間連接過度良好的活性金屬涂層,緩和了陶瓷基體與金屬涂層之間的應(yīng)力。金屬化涂層的形成提高了多孔氮化硅陶瓷表面的耐磨性,降低了其吸水性,并顯著提高了釬焊過程中釬料在多孔陶瓷表面的鋪展性和潤濕性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于材料表面改性技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多孔氮化硅陶瓷表面金屬化的方法。
背景技術(shù)
多孔氮化硅陶瓷因其良好的透波性,室溫和高溫環(huán)境中都具備優(yōu)秀的機(jī)械性能,以及較低的介電常數(shù)而被應(yīng)用于制造雷達(dá)天線罩的罩體材料,而由于多孔陶瓷本身固有的硬度較低使其在應(yīng)用裝配和應(yīng)用過程中極易受到磨損而影響天線罩的性能,且多孔陶瓷的空洞具有吸水性,使得在應(yīng)用過程中增加罩體重量。更重要的是,在天線罩裝配過程中多孔氮化硅陶瓷需要與支架的鈦合金陶瓷實(shí)現(xiàn)釬焊連接,然而多孔氮化硅陶瓷表面的多孔結(jié)構(gòu)導(dǎo)致釬料在陶瓷表面的潤濕和鋪展性較差。因此,采用合適的方法實(shí)現(xiàn)多孔氮化硅陶瓷表面金屬化,制備活性金屬涂層,既可以提高陶瓷的耐磨性、降低陶瓷吸水性,又可以提高釬焊過程中釬料在陶瓷表面的潤濕鋪展性,對(duì)于多孔氮化硅陶瓷在天線罩的裝配和應(yīng)用有著重要的意義。
常見的陶瓷表面金屬化方法有化學(xué)鍍Ni法、電鍍Ni法、燒結(jié)被Ag法、Mo-Mn法以及真空蒸發(fā)鍍膜法,然而傳統(tǒng)的金屬化方法耗時(shí)較長,成本較高。而多孔陶瓷的多孔結(jié)構(gòu)使得其自身的硬度、韌度等性能又不同與普通的致密陶瓷,因此傳統(tǒng)的金屬化方法并不能很好的應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)多孔氮化硅陶瓷表面金屬化。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明提供一種多孔氮化硅陶瓷表面金屬化方法,能夠?qū)崿F(xiàn)多孔氮化硅陶瓷的表面改性并實(shí)現(xiàn)多孔氮化硅陶瓷與合金基體之間高強(qiáng)度的有效連接。
為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目標(biāo),本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。
一種多孔Si3N4陶瓷表面金屬化方法,其步驟如下:
1)金屬化粉末制備:將粒徑為20 nm-80nm,優(yōu)選20 nm~50nm,最優(yōu)20 nm的納米Si3N4顆粒、粒徑為10μm-100μm,優(yōu)選10μm~50μm,最優(yōu)20μm的Si粉、粒徑為10μm~100μm,優(yōu)選10μm~50μm,最優(yōu)20μm的Ti粉將上述粉末選用機(jī)械球磨法球磨混合4~6h,其中Si3N4的質(zhì)量百分比為1wt.%~10wt.%,優(yōu)選1.5~3wt.%,最優(yōu)2 wt.% Si粉的質(zhì)量百分比為1wt.%~ 10wt.%,優(yōu)選1.5~3 wt.%,最優(yōu)2 wt.%,余量為Ti粉;
2)基材的選用與處理:選用孔隙率20%~70%,優(yōu)選45%~60%的多孔氮化硅陶瓷作為基材,將待金屬化處理的基材表面進(jìn)行打磨拋光處理后的多孔氮化硅陶瓷表面,并在丙酮溶液中超聲清洗15min~20min;
3)金屬化粉末的涂覆與控制:將步驟1)中處理后的金屬化粉末涂覆在步驟2)中處理后的基材表面,控制金屬化粉末的涂覆厚度在100μm~500um,優(yōu)選200~400μm,最優(yōu)選300μm,本技術(shù)方案中金屬化粉末涂覆的時(shí)候是干燥的粉末,厚度的控制由微型模具控制,具體為將陶瓷塊放在模具中,模具邊緣高于陶瓷,將金屬粉末敷于陶瓷表面,用刮板與模具邊緣取平,獲得厚度均勻的金屬粉末。
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