[發明專利]三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線

有效

• 申請號: 201810364915.9
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN108598697B
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 程鈺間;吳亞飛;趙凡;樊勇;宋開軍;張波;林先其;張永鴻
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/10
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：天線的整體形狀為圓弧面；天線包括上、下兩個金屬覆銅層，以及兩個金屬覆銅層之間的介質基板層(2)，上金屬覆銅層(1)為靠近圓弧面圓心的內層，介質基板層(2)上設有金屬化通孔，所述金屬化通孔包括關于天線中心線(9)對稱排布的上下兩排橫向金屬化通孔(5)以及位于圓弧面一端的一列縱向金屬化通孔(8)，兩排橫向金屬化通孔(5)用以形成基片集成波導，縱向金屬化通孔(8)封閉兩排橫向金屬化通孔(5)的一端以形成短路面，兩排橫向金屬化通孔(5)的另一端設有平面饋電結構(6)，上金屬覆銅層(1)上設有垂直貫穿上金屬覆銅層(1)的輻射縫隙(4)，所述輻射縫隙(4)在天線中心線(9)上下兩側交錯排布。

2.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：所述輻射縫隙(4)的長度、寬度、以及距離天線中心線(9)的距離均一致，相鄰輻射縫隙(4)之間的間距為輻射縫隙(4)中最靠近短路面的一個和短路面的距離為λ_g為基片集成波導里面傳播的電磁波的波導波長。

3.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：輻射縫隙(4)為16根縫隙。

4.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：所述平面饋電結構(6)為微帶線過渡到基片集成波導的T形結構。

5.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：圓弧面是圓心角為90°的圓弧面。

6.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：介質基板層(2)中靠近平面饋電結構的一端設置有兩個金屬化匹配孔(7)，用以調節饋電結構和輻射縫隙之間的阻抗匹配。

7.根據權利要求1所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：兩個金屬覆銅層和介質基板層通過平面PCB工藝加工得到，然后貼合固定在三維蜿蜒的載體上以形成三維蜿蜒基片集成波導天線，三維蜿蜒的載體和天線的圓弧面形狀一致。

8.根據權利要求7所述的三維蜿蜒基片集成波導近場聚焦駐波縫隙陣天線，其特征在于：三維蜿蜒的載體通過3D打印的方法得到。