[發明專利]晶圓背面異物的檢測系統及其檢測方法有效
| 申請號： | 201810364765.1 | 申請日： | 2018-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN108417516B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 曾志敏;徐云 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背面 異物 檢測 系統 及其 方法 | ||
1.一種晶圓背面異物的檢測系統，其特征在于，包括：檢測裝置和處理控制裝置；
檢測裝置垂直設置在托盤上方的一固定平面，對其下方的晶圓進行測量，將測量數據發送至處理控制裝置；
處理控制裝置根據所述測量數據判斷晶圓與晶圓托盤之間是否存在異物，若存在異物則發出報警；
其中，檢測裝置對其下方晶圓進行全覆蓋測距；
處理控制裝置將檢測裝置的測距數據以晶圓表面所處平面為基準面轉換為相對高度，并繪制為晶圓表面的高度三維圖，若晶圓表面某處高度偏離晶圓表面平均高度則判斷晶圓背面存在異物，發出報警。
2.如權利要求1所述的晶圓背面異物的檢測系統，其特征在于：若晶圓表面某處高度偏離晶圓表面平均高度大于等于預設高度閾值則判斷晶圓背面存在異物，發出報警。
3.如權利要求1或2任意一項所述的晶圓背面異物的檢測系統，其特征在于：
檢測裝置是測距儀，處理控制裝置是計算機。
4.一種晶圓背面異物的檢測方法，其特征在于，包括以下步驟；
在晶圓上方一固定平面對晶圓進行測量；
根據測量數據判斷晶圓與晶圓托盤之間是否存在異物，若存在異物則發出報警；
對晶圓進行全覆蓋測距，將測距數據以晶圓表面所處平面為基準轉換為相對高度，并繪制晶圓表面的高度三維圖，若晶圓表面某處高度偏離晶圓表面平均高度則判斷晶圓背面存在異物，發出報警。
5.如權利要求4所述的晶圓背面異物的檢測方法，其特征在于：若晶圓表面某處高度偏離晶圓表面平均高度值大于等于預設高度閾值則判斷晶圓背面存在異物，發出報警。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
