[發明專利]集成板及包括其的基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810364435.2 | 申請日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN108735629B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 金基哲;樸奇洪;李昌鏞;崔峰滿;俞阿敏 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 延美花;臧建明 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 包括 處理 裝置 | ||
本發明提供一種集成板及包括其的基板處理裝置。基板處理裝置可包括集成板、超聲波提供部件及溫度調節部件等。所述集成板可包括彼此相鄰地配置的至少兩個分割板及能夠吸收超聲波引起的振動且能夠填充位于所述分割板之間的間隙的蓋部件。因此,本發明的基板處理裝置能夠防止由于相鄰的分割板之間的間隙引起的基板的溫度偏差而發生的基板上的斑點之類的不良。
本申請享有2017年4日25日向韓國特許廳申請的韓國專利申請第2017-0052809號的優先權。
技術領域
本發明涉及集成板及包括其的基板處理裝置。更具體來講,本發明涉及能夠在將基板浮在上部的狀態下變更基板的溫度的集成板及包括這種集成板的基板處理裝置。
背景技術
通常,現在的平板顯示(FPD)裝置用面積相對大的基板制成。用于制造所述平板顯示裝置的部分工程為了防止所述基板下垂,可以在將所述基板浮在板上部的狀態下執行。為了從所述板浮起所述基板,可通過向所述基板的底面上提供超聲波來實現。如上利用超聲波將所述基板浮在所述板上部的情況下,需要控制使得在所述板上發生均勻的超聲波波形。
近來,隨著基板的尺寸增大,板的尺寸也相應地增大,而所述板的尺寸增大的情況下具有難以在所述板上發生均勻的超聲波波形的問題。因此,近來在用尺寸相對大的所述基板制造顯示裝置時,適用包括兩個以上的板,即分割板的集成板。其中,所述分割板配置成彼此接觸的情況下,所述超聲波引起的振動的干涉可能會導致所述基板無法浮在所述集成板上部。考慮到這種問題,可以在所述集成板的分割板之間設置預定的間隙(gap)。
而利用所述集成板對所述基板進行加熱或冷卻期間,所述分割板之間的間隙附近發生所述基板的溫度偏差,因此能夠造成所述基板的不良。尤其,在利用所述集成板執行加熱所述基板的熱處理工程期間,所述間隙附近發生的所述基板的溫度偏差能夠導致所述基板上發生斑點之類的不良。
發明內容
技術問題
本發明的一個目的是提供包括至少兩個分割板且能夠在將基板浮在上部的狀態下變更基板的溫度的集成板。
本發明的另一目的是提供包括上述集成板的基板處理裝置。
技術方案
根據本發明的一個方面,提供一種能夠在利用超聲波浮起基板的狀態下變更所述基板的溫度的集成板。所述集成板可包括:至少兩個分割板,其彼此相鄰地配置;以及蓋部件,其吸收所述超聲波引起的振動,填充位于所述至少兩個分割板之間的間隙(gap)。
根據示例的實施例,所述間隙的寬度范圍可以是0.1mm至10.0mm。
根據示例的實施例,所述蓋部件可由硅樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂及/或其混合物構成。
根據示例的實施例,所述集成板可具有能夠在上部實質收容一個基板的面積。
根據示例的實施例,所述蓋部件可實質填充靠近配置在所述分割板上的所述基板的所述間隙的一部分。
根據示例的實施例,所述集成板可通過對所述基板進行加熱或對所述基板進行冷卻以變更所述基板的溫度。
根據本發明的另一方面,提供一種包括集成板、超聲波提供部件、溫度調節部件等的基板處理裝置。所述集成板可包括彼此相鄰地配置的至少兩個分割板及吸收所述超聲波引起的振動且填充位于所述至少兩個分割板之間的間隙的蓋部件。所述超聲波提供部件可提供用于將所述基板浮在所述集成板的上部的所述超聲波。所述溫度調節部件可在所述基板浮在所述集成板的上部的狀態下變更所述基板的溫度。
根據示例的實施例,所述間隙的寬度范圍可以是0.1mm至10.0mm。
根據示例的實施例,所述蓋部件可含有硅樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂及/或其混合物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





