[發明專利]CMOS型LTPS TFT基板的制作方法

有效

• 申請號: 201810362824.1
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108511464B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 李立勝;劉廣輝
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

本發明提供一種CMOS型LTPS TFT基板的制作方法，通過一道半透光光罩在第二多晶硅有源層需進行P型離子重摻雜的區域上方形成第二光阻圖案的第二光阻段作為保護層，在對第一多晶硅有源層進行N型離子重摻雜時，能夠有效阻擋N型離子植入第二多晶硅有源層設置的第二源漏極接觸區中，相比于現有技術，后續在對第二多晶硅有源層進行P型離子重摻雜以形成第二源漏極接觸區時，無需額外補償P型離子，降低了P型離子重摻雜制程的產能損失，N型離子重摻雜制程無法對PMOS晶體管產生影響，提高了PMOS晶體管電性的收斂性，同時又因減少了對第二多晶硅有源層的離子植入次數，降低了離子植入對薄膜晶格結構的破壞，提高了器件的穩定性。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種CMOS型LTPS TFT基板的制作方法。

背景技術

在顯示技術領域，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩陣驅動式有機電致發光(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)顯示器等平板顯示裝置因具有機身薄、高畫質、省電、無輻射等眾多優點，得到了廣泛的應用，如：移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本屏幕等。

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)陣列(Array)基板是目前LCD裝置和AMOLED裝置中的主要組成部件，直接關系到高性能平板顯示裝置的發展方向，用于向顯示器提供驅動電路，通常設置有數條柵極掃描線和數條數據線，該數條柵極掃描線和數條數據線限定出多個像素單元，每個像素單元內設置有薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與相應的柵極掃描線相連，當柵極掃描線上的電壓達到開啟電壓時，薄膜晶體管的源極和漏極導通，從而將數據線上的數據電壓輸入至像素電極，進而控制相應像素區域的顯示。通常陣列基板上薄膜晶體管的結構又包括自下而上依次層疊設置于基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極、及絕緣保護層。

其中，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶體管與傳統非晶硅(A-Si)薄膜晶體管相比，雖然制作工藝復雜，但因其具有更高的載流子遷移率，被廣泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和AMOLED顯示面板的制作，低溫多晶硅被視為實現低成本全彩平板顯示的重要材料。