[發(fā)明專利]MEMS器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810362535.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-20
• 公開（公告）號(hào): CN108584863A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫福河;劉琛;周延青;聞?dòng)老?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李向英

1.一種MEMS器件，其中，包括：

襯底，所述襯底具有第一空腔；

第一犧牲層，位于所述襯底上，所述第一犧牲層中具有第二空腔；

第一振膜層，位于所述第一犧牲層上，所述第一振膜層的至少一部分由所述第一犧牲層支撐；

第二犧牲層，位于所述第一振膜層上，所述第二犧牲層中具有第三空腔；

背極板層，位于所述第二犧牲層上，所述背極板層的至少一部分由所述第二犧牲層支撐，使得所述背極板層與所述第一振膜層形成第一電容器；

第三犧牲層，位于所述背極板層上，所述第三犧牲層中具有第四空腔；

第二振膜層，位于所述第三犧牲層上，所述第二振膜層的至少一部分由所述第三犧牲層支撐，使得所述第二振膜層與所述背極板層形成第二電容器，

其中，所述MEMS器件還包括用于限定所述第二至第四空腔至少之一的橫向尺寸的多個(gè)停止層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，所述第一振膜層包括第一開口，使得所述第二空腔與所述第三空腔連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，所述第二振膜層包括第二開口，使得所述第四空腔與外界環(huán)境連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，所述背極板層包括第三開口，使得所述第三空腔與所述第四空腔連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，所述多個(gè)停止層包括：

第一停止層，位于所述第二空腔內(nèi)壁，以所述第一停止層為硬掩模，形成所述第二空腔；

第二停止層，位于所述第三空腔內(nèi)壁，以所述第二停止層為硬掩模，形成所述第三空腔；

第三停止層，位于所述第四空腔的內(nèi)壁，以所述第三停止層為硬掩模，形成所述第四空腔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS器件，其中，所述第一停止層和所述第一振膜層圍繞所述第二空腔，所述第二停止層和所述背極板層圍繞所述第三空腔，所述第三停止層和所述第二振膜層圍繞所述第四空腔。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS器件，其中，所述第一停止層、所述第二停止層和所述第三停止層沿著垂直于主平面的方向彼此對(duì)準(zhǔn)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，還包括：鈍化層，至少覆蓋所述第三犧牲層的表面以及所述第二振膜層鄰近所述第三犧牲層的一部分表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中，還包括：

防粘附層，所述防粘附層位于所述第一空腔、所述第二空腔、所述第三空腔和所述第四空腔至少之一的內(nèi)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的MEMS器件，其中，還包括：

第一導(dǎo)電通道，從上至下穿過所述鈍化層、所述第三犧牲層、所述第二犧牲層，到達(dá)所述第一振膜層；

第二導(dǎo)電通道，從上至下穿過所述鈍化層和所述第三犧牲層，到達(dá)所述背極板層；以及

第三導(dǎo)電通道，從上至下穿過所述鈍化層，到達(dá)所述第二振膜層。

11.一種MEMS器件的制造方法，其中，包括：

在襯底上依次形成第一犧牲層、第一振膜層、第二犧牲層、背極板層、第三犧牲層以及第二振膜層；

在所述襯底中形成第一空腔；

經(jīng)由所述第一空腔，在所述第一犧牲層中形成第二空腔，所述第一空腔和所述第二空腔彼此連通，所述第一振膜層的至少一部分由所述第一犧牲層支撐；

在所述第二犧牲層中形成第三空腔，所述背極板層的至少一部分由所述第二犧牲層支撐，使得所述背極板層與所述第一振膜層形成第一電容器；以及

在所述第三犧牲層中形成第四空腔，所述第二振膜層的至少一部分由所述第三犧牲層支撐，使得所述背極板層與所述第二振膜層形成第二電容器，

其中，所述制造方法還包括形成多個(gè)停止層用于限定所述第二至第四空腔至少之一的橫向尺寸。