[發(fā)明專利]一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810361949.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-20
• 公開（公告）號(hào): CN108580886B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛圣華;皮金斌;張勉團(tuán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西艾科控股有限公司
• 主分類號(hào): B22F1/02
• 分類號(hào): B22F1/02;B22F1/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 劉奇

本發(fā)明提供了一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法，屬于無線電元件制造領(lǐng)域。本發(fā)明包括以下步驟：在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒；將所述鋁包覆金屬顆粒進(jìn)行氧化，在金屬顆粒表面包覆氧化鋁。本發(fā)明通過在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒，再將鋁氧化為氧化鋁，比常規(guī)的非均勻形核法制備過程簡(jiǎn)單，成本低，且得到的氧化鋁在金屬顆粒表面分布均勻。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及無線電元件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法。

背景技術(shù)

在電子設(shè)備中有些元件是用金屬粉末或合金粉末顆粒(比如鐵硅鋁合金粉末)，制成一定形狀(例如環(huán)形器件)，這些器件在高頻電路中元件發(fā)熱厲害，這是由于元件中粉末之間接觸是導(dǎo)電的，可以有電流通過，從而產(chǎn)生了渦流，器件必然發(fā)熱，熱損耗大，要使器件不發(fā)熱或者減少發(fā)熱，就要使器件的金屬或合金粉末之間的接觸是非導(dǎo)電接觸，也就是顆粒之間不能有電流通過，也就形成不了渦流。

目前，金屬或合金粉末采用非導(dǎo)電接觸的方法是在粉末中加入氧化鋁包覆金屬或合金粉末，同時(shí)基本不影響器件原來的磁性能，現(xiàn)有技術(shù)中在金屬顆粒表面包覆氧化鋁采用的是非均勻形核法，如CN103606660A公開了利用沉淀法在金屬顆粒表面包覆氫氧化鋁，再經(jīng)過煅燒得到包覆氧化鋁的金屬顆粒；尹春雷等也公開了在制備ZnO的前驅(qū)物-堿式碳酸鋅的過程中原位沉淀包覆A1₂O₃(參見《納米氧化鋅表面包覆氧化鋁復(fù)合粉體制備及其光催化活性》,尹春雷等,過程工程學(xué)報(bào),2003,3(4):346～350)。這些包覆方法存在制備步驟復(fù)雜，流程不簡(jiǎn)要的問題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法。本發(fā)明提供的金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法制備方法簡(jiǎn)單，成本低。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法，包括以下步驟：

(1)在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒；

(2)將所述步驟(1)得到的鋁包覆金屬顆粒進(jìn)行氧化，在金屬顆粒表面包覆氧化鋁。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中金屬顆粒為純金屬顆?；蚝辖痤w粒。

優(yōu)選地，所述步驟(1)中鍍鋁的方法為真空蒸發(fā)鍍鋁或常溫熔鹽鍍鋁。

優(yōu)選地，所述真空蒸發(fā)鍍鋁的真空度小于0.1Pa，所述真空蒸發(fā)鍍鋁的溫度為1100～1400℃。

優(yōu)選地，所述常溫熔鹽鍍鋁使用的熔鹽體系為：氯化鋁-氯化丁基吡啶或氯化鋁-氯化1-甲基-3-乙基咪唑。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中氧化為在臭氧氣氛或雙氧水中氧化。

優(yōu)選地，所述雙氧水的濃度為30％～70％。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中氧化為微弧放電氧化。

優(yōu)選地，所述步驟(2)中氧化使用的方法為酸性氧化法或堿性氧化法。

本發(fā)明提供了一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法，包括以下步驟：在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒；將所述鋁包覆金屬顆粒進(jìn)行氧化，在金屬顆粒表面包覆氧化鋁。本發(fā)明通過在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒，再將鋁氧化為氧化鋁，比常規(guī)的非均勻形核法制備過程簡(jiǎn)單，成本低，且得到的氧化鋁在金屬顆粒表面分布均勻。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供了一種金屬顆粒表面包覆氧化鋁的方法，包括以下步驟：

(1)在金屬顆粒外表面鍍鋁，得到鋁包覆金屬顆粒；

(2)將所述步驟(1)得到的鋁包覆金屬顆粒進(jìn)行氧化，在金屬顆粒表面包覆氧化鋁。