[發明專利]一種高增益毫米波圓極化介質諧振器陣列天線有效
| 申請號: | 201810361859.3 | 申請日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN108598696B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 翁子彬;劉一廷;張立;焦永昌 | 申請(專利權)人: | 西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q21/24 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 陳宏社;王品華 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增益 毫米波 極化 介質 諧振器 陣列 天線 | ||
1.一種高增益毫米波圓極化介質諧振器陣列天線,包括介質基板(1)、印制在介質基板(1)上表面的第一金屬地板(2)和下表面的第二金屬地板(3);所述第一金屬地板(2)與第二金屬地板(3)之間通過基片集成波導饋電結構連接,該基片集成波導饋電結構由設置在介質基板(1)上的多個金屬化過孔(11)組成;所述第一金屬地板(2)位于基片集成波導饋電結構內的區域劃分為多個饋電單元(21),每個饋電單元(21)上蝕刻有矩形耦合縫隙(211),多個饋電單元(21)上蝕刻的矩形耦合縫隙(211)相互平行,且相鄰的矩形耦合縫隙(211)相對于各自饋電單元(21)的任意一條中心線兩側交替分布,在矩形耦合縫隙(211)所在位置固定有輻射單元(4);所述介質基板(1)上設置有用于安裝同軸線的過孔;其特征在于,所述基片集成波導饋電結構為矩形腔體,每個矩形邊上的金屬化過孔(11)沿靠近介質基板(1)的邊沿分布;所述第一金屬地板(2)位于基片集成波導饋電結構內的區域劃分為n×n個饋電單元(21),n≥2;所述輻射單元(4)采用由兩個長方體介質塊(41)層疊而成的介質諧振器天線單元,該介質諧振器天線單元中的兩塊介質塊(41)沿長度方向的中軸線在空間上以不同的角度與所在饋電單元(21)中的矩形耦合縫隙(211)的長中線交叉,且交叉點位于垂直于矩形耦合縫隙(211)幾何中心的軸線上,用于實現高增益和圓極化的特性。
2.根據權利要求1所述的高增益毫米波圓極化介質諧振器陣列天線,其特征在于:所述矩形腔體為正方形腔體,該正方形腔體每個邊上的金屬化過孔(11)數量為m,m≥18。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學,未經西安電子科技大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810361859.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





