[發明專利]薄膜晶體管基板和液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201810361748.2 | 申請日: | 2018-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN110389477B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 方寧;柳智忠;戴孟杰 | 申請(專利權)人: | 深超光電(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 劉永輝;徐麗 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 液晶顯示 面板 | ||
一種薄膜晶體管基板的每一條第一修補線與至少一條數據線的輸入端在基板上的投影重疊且相互絕緣,每一條第二修補線與至少一條數據線的輸出端在基板上的投影重疊且相互絕緣,每一條第一修補線與至少一條第二修補線在基板上的投影重疊且相互絕緣;當一條數據線斷掉時,所述第一修補線與該斷掉的數據線的輸入端導通,所述第一修補線還與其對應的一條第二修補線導通,所述第二修補線與該斷掉的數據線的輸出端導通。本發明的薄膜晶體管基板可以減小修補后的線路長度,減小第一修補線路的電阻和電容。
技術領域
本發明涉及一種薄膜晶體管基板和液晶顯示面板,尤其涉及一種具有修補線的薄膜晶體管基板。
背景技術
液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器,具有低消耗電功率、薄型輕量以及低電壓驅動等特征,其顯示原理是利用液晶分子的材料特性,于外加電場后使液晶分子的排列狀態改變,造成液晶材料產生各種光電效應。一般而言,LCD包括TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板,TFT 陣列基板包括走線區和顯示區,多條數據線(data line)和多條柵極線(gate line)(又稱掃描線,scanline)分別從顯示區延伸到走線區,多條數據線和多條柵極線的交叉區域限定了多個像素,每一個像素區域內設置有一薄膜晶體管(thin film transistor,以下簡稱TFT)以及一像素電極,此薄膜晶體管為一種開關組件(switching device)。外部數據信號和掃描信號經由數據線、柵極線傳輸到顯示區域的各個像素。
在現有的TFT陣列基板的制程中,數據線可能出現斷開(open circuit)或短路(short circuit)等現象。在這種情況下,數據信號無法正常傳送,由此形成了線缺陷。而且,當TFT陣列基板擴大面積并提高分辨率時,需要制作數量更多的柵極線與數據線,且線寬變得更窄,則制造工藝困難度的提高更容易導致斷線現象。因此,為了避免TFT陣列基的操作受到少部份斷線的影響,TFT陣列基板在設計時,導入線修補的設計對策,可以大大提升產品的合格率。
現有的斷線的修補設計一般分為屏外修補設計和屏內修補設計,其中屏外修補設計是通過顯示區外走線,把數據線信號同步傳輸到不能正常顯示的斷線,從而實現顯示屏的正常工作,而傳統的屏外修補設計由于常常用到的運算放大器,以使修補線在修補后自身的電阻與電容對修補效果影響較小,信號經運算放大器放大后再通過修補線傳輸到不良的數據線上,從而實現修補效果。但是運算放大器的使用大大增加了TFT陣列基的開發成本,使產品不具競爭力。
發明內容
鑒于此,有必要提供一種無需使用運算放大器的薄膜晶體管基板。
一種薄膜晶體管基板,其包括基板、形成于基板上的多條數據線,所述基板定義有中央區和圍繞所述中央區的周邊區,每一條數據線沿第一方向延伸跨越所述中央區且具有位于所述周邊區的一輸出端和一輸入端,
所述薄膜晶體管基板還包括位于周邊區的至少一條第一修補線和多條第二修補線,所述至少一條第一修補線和多條第二修補線均與所述多條數據線相互絕緣;
每一條第一修補線與至少一條數據線的輸入端在基板上的投影至少部分重疊,每一條第二修補線與至少一條數據線的輸出端在基板上的投影至少部分重疊,每一條第一修補線與至少一條第二修補線在基板上的投影至少部分重疊;
當一條數據線斷開時,所述斷開的數據線的輸入端與其在基板上的投影存在重疊的第一修補線導通,所述斷開的數據線的輸出端與其在基板上的投影存在重疊的第二修補線導通,與所述斷開的數據線的輸入端導通的第一修補線和與所述斷開的數據線的輸出端導通的第二修補線導通。
一種薄膜晶體管基板,其包括基板、形成于基板上的多條數據線,所述基板定義有中央區和圍繞所述中央區的周邊區,每一條數據線沿第一方向延伸跨越所述中央區且具有位于所述周邊區的一輸出端和一輸入端,
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深超光電(深圳)有限公司,未經深超光電(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810361748.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





