[發(fā)明專利]一種中紅外激光器有效
申請?zhí)枺?/td> | 201810361335.4 | 申請日: | 2018-04-20 |
公開(公告)號: | CN108418090B | 公開(公告)日: | 2020-09-04 |
發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳慧彬 | 申請(專利權(quán))人: | 泉州師范學院 |
主分類號: | H01S3/106 | 分類號: | H01S3/106;H01S3/091;H01S3/081;H01S3/108;H01S3/16 |
代理公司: | 泉州市文華專利代理有限公司 35205 | 代理人: | 陳雪瑩 |
地址: | 362000 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅外 激光器 | ||
本發(fā)明涉及一種新型的產(chǎn)生3?3.7微米波段激光的中紅外激光器,包括抽運光源、耦合光學系統(tǒng)、激光諧振腔、抽運激光晶體和非線性光學晶體,抽運光源發(fā)射激光經(jīng)耦合光學系統(tǒng)到達抽運激光晶體產(chǎn)生熒光,在由全反鏡和輸出腔鏡組成的激光諧振腔內(nèi),形成2.4?2.7微米波段的振蕩激光,通過非線性光學晶體拉曼產(chǎn)生3?3.7微米波段的激光,上述3?3.7微米波段的激光在復合腔鏡和輸出腔鏡組成的拉曼振蕩腔內(nèi)振蕩加強,最終輸出3?3.7微米波段的激光。通過在腔內(nèi)插入波長調(diào)諧元件(例如標準具、雙折射濾光片、光柵等)實現(xiàn)3?3.7微米波長范圍內(nèi)的可調(diào)諧激光,本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單緊湊、可在常溫下使用且功率高的優(yōu)點。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電領(lǐng)域,特別是涉及一種產(chǎn)生3-3.7微米波段激光的中紅外激光器。
背景技術(shù)
3-3.7微米波段處于光譜中的中紅外波段,該波段的激光在激光醫(yī)療、光譜學、氣體環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域具有十分重要的應用。例如,許多氣體的特征吸收峰位于3-3.7微米波段,該波段常被稱為氣體的“分子指紋區(qū)”,因此該波段激光可用于氣體定性與定量的檢測。一些常見的大氣污染物,如CH4、H2CO、NO2、N2O的特征吸收峰分別都在3.3-3.7微米范圍內(nèi)。并且,除去以上大氣中氣體的特征吸收波段,該波段的其余激光處于大氣窗口的高透過區(qū),對大氣的穿透性強,傳輸過程損耗小,在激光制導、遙感測控、光電對抗等軍事領(lǐng)域有著重要的應用。
目前,國內(nèi)外實現(xiàn)3-4微米波段激光的主要技術(shù)途徑有以下幾類:
(1)中紅外光參量振蕩激光器(OPO):該類型激光器是現(xiàn)階段產(chǎn)生中紅外激光最常用的技術(shù)方案,已實現(xiàn)了2-5微米的可調(diào)諧激光輸出,具有波長調(diào)諧范圍大,激光輸出功率高的優(yōu)點。然而,這類激光器結(jié)構(gòu)復雜、裝調(diào)精度要求極高,對溫度、振動等環(huán)境因素的要求也較為苛刻,因此很難在衛(wèi)星、飛機這類航天器上應用。
(2)中紅外晶體激光器:該類型激光器采用稀土與過渡族離子作為激活離子直接產(chǎn)生3微米以上的激光。由于存在強烈的多聲子淬滅效應,通常要求激光晶體具有較低的聲子能量,以避免過高的無輻射躍遷幾率導致激光上能級壽命過低。因此,這類激光器通常采用聲子能量較低的非氧化基質(zhì)晶體(鹵化物、硫化物、硒化物等)作為激光增益介質(zhì)。為獲得激光運轉(zhuǎn),還需要控制晶體處在遠低于室溫的環(huán)境溫度下工作,這極大地增加了激光系統(tǒng)的復雜性與穩(wěn)定性。
(3)中紅外光纖激光器:該類型激光器采用氟化物與硫化物光纖作為激光增益介質(zhì)實現(xiàn)中紅外激光輸出。由于光纖激光的增益介質(zhì)長,調(diào)Q運轉(zhuǎn)時激光脈沖寬度較寬,峰值功率低。并且,光纖非線性效應嚴重,輸出激光的譜線往往較寬,較小的芯徑尺寸使其在短脈沖高能量激光運轉(zhuǎn)下容易燒毀。另外,硫化物與氟化物的機械性能差、光纖加工難,且當前中紅外波段光柵稀缺,這些不利因素都一定程度上限制了中紅外光纖激光器的發(fā)展。
(4)中紅外帶間級聯(lián)激光器:這種技術(shù)可以實現(xiàn)3-3.8微米的激光輸出,但其輸出功率較低、激光線寬大,在許多應用上受到限制。以美國Thorlabs公司生產(chǎn)的法布里珀羅帶間級聯(lián)激光器為例,其最大輸出功率為20-30毫瓦,線寬約為幾十納米。
(5)中紅外異質(zhì)結(jié)半導體激光器:這類激光器主要采用半導體作為激光介質(zhì),其輸出光束質(zhì)量差、制備工藝難度大,通常需要在極低的溫度下運轉(zhuǎn)。目前,該類型的激光器在室溫下無法實現(xiàn)波長大于3微米的激光。
綜上可知,目前現(xiàn)有技術(shù)中缺少一種結(jié)構(gòu)簡單,可在常溫下使用,且輸出功率較高的中紅外激光器。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單,可在常溫下使用,且輸出功率較高的中紅外激光器。
為了達成上述目的,本發(fā)明的解決方案是:
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