[發明專利]一種調試關鍵尺寸均勻性的方法

有效

• 申請號: 201810360659.6
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108732869B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 王曉龍;李德建;吳鵬;陳力鈞
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/16
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，運用于光刻工藝中，包括以下步驟：

步驟S1：依據關鍵尺寸與光刻膠的厚度的關聯波浪線，結合所述關鍵尺寸的需求和所述光刻膠的厚度限制，選取所述關聯波浪線中一波峰或一波谷的所述光刻膠的厚度作為目標厚度；

步驟S2：根據所述目標厚度于所述光刻工藝中進行試驗，獲取所述光刻膠于目標硅片上的厚度分布曲線；

步驟S3：根據所述厚度分布曲線和所述關聯波浪線，獲取尺寸分布圖；

步驟S4：根據所述尺寸分布圖獲取尺寸差異量，判斷所述尺寸差異量是否符合光刻工藝的要求；

若符合，則進入步驟S6；若否，則進入步驟S5；

步驟S5：根據所述厚度分布曲線和所述關聯波浪線對所述目標厚度進行調整，將所述目標厚度偏離所述波峰或所述波谷，返回步驟S2；

步驟S6：以所述目標厚度為基準，對所述光刻膠的厚度分布進行優化處理以提高所述光刻膠的厚度均勻性。

2.根據權利要求1所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟S1中的所述關聯波浪線采用如下方法獲取：

步驟A1：采用相同的光刻工藝對不同厚度的光刻膠進行多組試驗，獲取第一試驗數據，所述第一試驗數據包括所述光刻膠的厚度的平均值和對應的所述關鍵尺寸的平均值；

步驟A2：根據所述第一試驗數據建立第一坐標系，將所述第一試驗數據轉換為所述第一坐標系的第一數據點，所述第一坐標系的橫軸代表所述光刻膠的厚度，所述第一坐標系的縱軸代表所述關鍵尺寸；

步驟A3：將每個所述第一數據點依次連接獲取所述關聯波浪線。

3.根據權利要求2所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟A3還包括以下步驟：

判斷所述關聯波浪線是否存在至少2個所述波峰和2個所述波谷；

若是，則結束；若否，則返回步驟A1。

4.根據權利要求1所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下步驟：

步驟B1：將所述目標厚度作為光刻工藝的所述光刻膠的涂抹厚度，采用涂膠器對硅片進行涂膠試驗；

步驟B2：測量所述硅片上每個位置的所述光刻膠的厚度，獲取第二試驗數據，所述第二試驗數據包括硅片半徑和對應的所述光刻膠的厚度；

步驟B3：根據所述第二試驗數據建立第二坐標系，將所述第二試驗數據轉換為所述第二坐標系的第二數據點，所述第二坐標系的橫軸代表所述硅片半徑，所述第二坐標系的縱軸代表所述光刻膠的厚度；

步驟B4：將每個所述第二數據點依次連接獲取所述厚度分布曲線。

5.根據權利要求4所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟S3包括以下步驟：

步驟C1：將每個所述第二數據點的所述光刻膠的厚度代入至所述關聯波浪線獲取對應的所述關鍵尺寸；

步驟C2：將每個所述第二數據點對應的所述關鍵尺寸根據所述硅片半徑進行排列組合，獲取尺寸分布圖。

6.根據權利要求1所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，以所述目標厚度作為界限將所述厚度分布曲線劃分為中心區域和邊緣區域，所述步驟S5包括以下步驟：

步驟D1：根據所述關聯波浪線進行判斷；

若所述目標厚度靠近所述波峰，則進入步驟D2；

若所述目標厚度靠近所述波谷，則進入步驟D3；

步驟D2：判斷所述中心區域的平均厚度是否大于所述邊緣區域的平均厚度；

若否，則進入步驟D5；若是，則進入步驟D4；

步驟D3：判斷所述中心區域的平均厚度是否大于所述邊緣區域的平均厚度；

若是，則進入步驟D4；若否，則進入步驟D5；

步驟D4：增大所述目標厚度；

步驟D5：減小所述目標厚度。

7.根據權利要求6所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟D4和所述步驟D5中，對于所述目標厚度的調整范圍為所述波峰至相鄰的波谷之間的厚度或波谷至相鄰的波峰的之間的厚度。

8.根據權利要求6所述的調試關鍵尺寸均勻性的方法，其特征在于，所述步驟S4中，所述尺寸差異量包括各關鍵尺寸和關鍵尺寸的平均值的差值、關鍵尺寸的最大值與最小值的差值、關鍵尺寸的標準差、所述中心區域的所述關鍵尺寸的平均值與所述邊緣區域的所述關鍵尺寸的平均值的差值。