[發(fā)明專利]單晶硅錠及其制造方法以及單晶硅晶片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810360583.7 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110387578A | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 原田和浩;降屋久 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/06 | 分類號(hào)： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張澤洲;劉林華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅錠 單晶硅晶片 點(diǎn)缺陷 凝集體 電氣特性 金屬元素 空位 間隙硅 鐵污染 鐵元素 污染度 制造 培育 | ||
1.一種單晶硅錠，其不存在空位型點(diǎn)缺陷的凝集體及間隙硅型點(diǎn)缺陷的凝集體，并且通過(guò)切克勞斯基法培育，所述單晶硅錠的特征在于，
鐵污染濃度為2×109atoms/cm3以下。
2.一種硅晶片，其由權(quán)利要求1所述的單晶硅錠制成。
3.一種制造不存在空位型點(diǎn)缺陷的凝集體及間隙硅型點(diǎn)缺陷的凝集體的單晶硅錠的方法，其特征在于，包括：
將成為原料的塊狀或粒狀的硅進(jìn)行熔解并從該硅熔液通過(guò)切克勞斯基法以0.9以下的固化率培育單晶硅錠的工序；
將所述培育的單晶硅錠制成塊狀或粒狀的工序；
清洗所述塊狀或粒狀的單晶硅的工序；及
將所述清洗的單晶硅再次熔解，并從該硅熔液通過(guò)切克勞斯基法以0.9以下的固化率培育單晶硅錠的單晶硅的再提拉工序，
所述再提拉工序?yàn)槿缦鹿ば颍涸趯㈠V的提拉速度設(shè)為V（mm/分鐘），將在熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)中錠-硅熔液的接觸面的溫度梯度設(shè)為G（℃/mm）時(shí)，控制V/G（mm2/分鐘·℃）來(lái)培育不存在空位型點(diǎn)缺陷的凝集體及間隙硅型點(diǎn)缺陷的凝集體的單晶硅錠，
通過(guò)所述再提拉工序而培育的單晶硅錠的鐵污染濃度為2×109atoms/cm3以下，
其中，固化率是指以重量換算計(jì)，培育的單晶硅相對(duì)于原料硅100%的比例。
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