[發明專利]一種單晶硅坩堝在審
| 申請號： | 201810360174.7 | 申請日： | 2018-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN108396374A | 公開（公告）日： | 2018-08-14 |
| 發明（設計）人： | 周儉 | 申請（專利權）人： | 周儉 |
| 主分類號： | C30B15/10 | 分類號： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223 | 代理人： | 王明霞 |
| 地址： | 美國俄勒岡*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 坩堝 單晶硅 瓣體 側壁 應力承受能力 兩段式結構 單元連接 底部連接 石英坩堝 使用壽命 逐漸增大 坩堝本體 盛放 拆卸 連通 配置 | ||
1.一種單晶硅坩堝，包括
坩堝部(1)本體，配置為盛放石英坩堝；
其特征在于：所述坩堝部(1)包括
第一坩堝單元(2)，配置為坩堝部(1)的底部,包括至少兩部分的瓣體圍成；
第二坩堝單元(3)，與第一坩堝單元(2)連接，形成坩堝部(1)的側壁；
孔單元(4)，設置于第二坩堝單元(3)，連通坩堝部(1)的內外空間；
孔單元(4)在第二坩堝單元(3)圓周方向上所占的比例，自坩堝部(1)底部一側向另一側逐漸增大。
2.根據權利要求1所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述第一坩堝單元(2)由石墨材料制成。
3.根據權利要求1所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述第二坩堝單元(3)由碳-碳復合材料制成。
4.根據權利要求3所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述第二坩堝單元(3)的壁厚為6mm至15mm。
5.根據權利要求1所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述孔單元(4)為設置于第二坩堝單元(3)的圓形或橢圓形孔狀結構。
6.根據權利要求1所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述孔單元(4)為設置于第二坩堝單元(3)的多邊形通孔結構。
7.根據權利要求1-6任一所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述孔單元(4)在第二坩堝單元(3)圓周方向上的數量，自坩堝部(1)底部一側向另一側逐漸增多。
8.根據權利要求1-6任一所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述孔單元(4)在第二坩堝單元(3)軸向方向上、自坩堝部(1)底部一側向另一側，彼此之間的距離逐漸減小。
9.根據權利要求1-6任一所述的一種單晶硅坩堝，其特征在于：所述孔單元(4)沿第二坩堝單元(3)軸線方向，其尺寸自坩堝部(1)底部一側向另一側逐漸增大。
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