[發明專利]一種電極涂層的制備方法

有效

• 申請號: 201810358042.0
• 申請日: 2018-04-20
• 公開（公告）號: CN108531856B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 廖斌;歐陽曉平;張豐收;張旭;吳先映
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/32;C23C14/02
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李冬梅;苗源

1.一種電極涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1S：利用氣體離子源對電極基體表面進行高低能交替清洗；

2S：以碳靶為陰極，利用磁過濾沉積方法在所述電極基體上進行電極涂層的沉積；

所述磁過濾沉積方法具體為：使所述碳靶產生的碳離子依次穿過第一強脈沖線包、抑制線包和磁過濾彎管；

所述磁過濾彎管上依次設置有第二強脈沖線包、中間線包和高脈沖散焦線包；

設置所述第一強脈沖線包的頻率0.1～100Hz，電流為0.1～50A；

設置所述抑制線包的頻率為0.1～200Hz，電流為0.1～10A；

設置所述第二強脈沖線包的頻率為20～80Hz，電流為0.1～20A；

所述中間線包為直流線包，設置其電流為0.1～5A；

設置所述高脈沖散焦線包的頻率為30～300Hz，電流為30～200A；

在電極基體表面沉積的四面體非晶形碳與含氫DLC的混合摻雜結構涂層。

2.如權利要求1所述的電極涂層的制備方法，其特征在于，在所述步驟2S中，在進行所述沉積時，對所述電極基體施加高功率脈沖偏壓復合直流偏壓。

3.如權利要求2所述的電極涂層的制備方法，其特征在于，

設置所述高功率脈沖偏壓的電壓為1～10kV，脈沖寬度為0.1～1.2ms，脈沖頻率為1～100Hz，占空比小于1/10000，峰值功率為0.1～5MW；

設置所述直流偏壓的電壓為1～600V，占空比1～80％。

4.如權利要求1所述的電極涂層的制備方法，其特征在于，對所述磁過濾彎管施加脈沖式正偏壓，設置所述脈沖式正偏壓頻率20～100Hz，電壓10～30V。

5.如權利要求1所述的電極涂層的制備方法，其特征在于，在所述步驟1S中，所述氣體離子源為陽極層離子源，所述陽極層離子源的能量為1～3000eV，束流強度1～500mA；

在進行所述高低能交替清洗后，所述電極基體表面的粗糙度小于0.01微米。