[發明專利]封裝結構及焊接方法

有效

• 申請號: 201810356746.4
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108550558B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 吳鼎皞;陳傳興;邱原;吳江雪
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/04;H01L23/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

基板連接層；

位于所述基板連接層部分表面的芯片；

位于所述芯片頂部表面的金屬導熱層；

位于所述基板連接層上的散熱蓋，所述散熱蓋圍成的空間容納所述芯片和金屬導熱層；

所述散熱蓋包括頂蓋，所述頂蓋包括鍍金區域和位于鍍金區域周圍的非鍍金區域，所述鍍金區域具有朝向金屬導熱層的第一表面，第一表面與所述金屬導熱層表面接觸，所述非鍍金區域具有朝向基板連接層的第二表面，第二表面與所述金屬導熱層表面不接觸，所述第一表面和第二表面均經過了粗糙化處理，從而在所述第一表面和第二表面分別形成不同的粗糙度，所述第二表面的粗糙度小于所述第一表面的粗糙度；

所述鍍金區域朝向所述金屬導熱層的表面具有第一鍍層，第一鍍層與所述金屬導熱層表面接觸，所述第一鍍層的材料為金；所述非鍍金區域朝向基板連接層的表面具有第二鍍層，所述第二鍍層還延伸至鍍金區域表面，延伸至鍍金區域表面的第二鍍層被第一鍍層覆蓋，所述第二鍍層的材料為鎳；

所述散熱蓋和基板連接層的邊緣區域設置有排氣口。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第一表面的粗糙度為0.4微米～0.6微米；所述第二表面的粗糙度為0.1微米～0.3微米。

3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀呈矩形，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀具有相對的兩條第一邊、以及相對的兩條第二邊，第一邊分別和第二邊的兩端連接，第一邊的長度大于第二邊的長度；所述鍍金區域的表面形狀呈矩形，所述鍍金區域的表面形狀具有相對的兩條第三邊、以及相對的兩條第四邊，第三邊分別和第四邊的兩端連接，第三邊的長度大于第四邊的長度；所述第一邊平行于所述第三邊，所述第二邊平行于所述第四邊；

所述第三邊的長度等于第一邊的長度與2倍的最大位置誤差之和；所述第四邊的長度等于第二邊的長度與2倍的最大位置誤差之和。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀呈方形，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀具有相對的兩條第一邊、以及相對的兩條第二邊，第一邊分別和第二邊的兩端連接，第一邊的長度等于第二邊的長度；所述鍍金區域的表面形狀呈方形，所述鍍金區域的表面形狀具有相對的兩條第三邊、以及相對的兩條第四邊，第三邊分別和第四邊的兩端連接，第三邊的長度等于第四邊的長度；所述第一邊平行于所述第三邊，所述第二邊平行于所述第四邊；

所述第三邊的長度等于第一邊的長度與2倍的最大位置誤差之和；所述第四邊的長度等于第二邊的長度與2倍的最大位置誤差之和。

5.根據權利要求3或4所述的封裝結構，其特征在于，所述最大位置誤差為0.3mm～0.4mm。

6.一種焊接方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1至5任意一項所述的封裝結構；

對所述封裝結構進行高溫回流焊，所述高溫回流焊采用的溫度大于所述金屬導熱層的熔點。