[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810356741.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108321209B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 山崎舜平 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 賈成功 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底上的第一氧化物層；
所述第一氧化物層上的氧化物半導(dǎo)體層；
所述氧化物半導(dǎo)體層上的第二氧化物層；
都與所述氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極和漏電極；
所述第二氧化物層、所述源電極和所述漏電極上的柵極絕緣膜；
所述柵極絕緣膜上的柵電極；
所述柵電極上的第一保護(hù)絕緣膜；和
所述第一保護(hù)絕緣膜上的第二保護(hù)絕緣膜，
其中所述第一保護(hù)絕緣膜包含氧化硅或氧氮化硅，其在ESR中來(lái)源于g值為2.001的信號(hào)的自旋密度為3×1017自旋/cm3以下，
其中所述第二保護(hù)絕緣膜包含氧化硅或氧氮化硅且通過(guò)加熱處理可以釋放氧，
其中所述第一氧化物層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物層中的至少一個(gè)包含銦、鎵和鋅，
其中所述第一氧化物層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物層中的至少一個(gè)包括結(jié)晶部，
其中所述結(jié)晶部的c軸平行于所述第一氧化物層的表面的法線向量，以及
其中所述氧化物半導(dǎo)體層中的硅的濃度低于1×1018原子/cm3。
2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
襯底上的第一氧化物層；
所述第一氧化物層上的氧化物半導(dǎo)體層；
所述氧化物半導(dǎo)體層上的第二氧化物層；
都與所述氧化物半導(dǎo)體層電連接的源電極和漏電極；
所述第二氧化物層、所述源電極和所述漏電極上的柵極絕緣膜；
所述柵極絕緣膜上的柵電極；
所述柵電極上的第一保護(hù)絕緣膜；和
所述第一保護(hù)絕緣膜上的第二保護(hù)絕緣膜，
其中所述第一保護(hù)絕緣膜包含氧化硅或氧氮化硅，其在ESR中來(lái)源于g值為2.001的信號(hào)的自旋密度為3×1017自旋/cm3以下，以及
其中所述第二保護(hù)絕緣膜包含氧化硅或氧氮化硅且通過(guò)加熱處理可以釋放氧,
其中所述源電極和所述漏電極都包含鈦和銅，
其中所述第一氧化物層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物層中的至少一個(gè)包含銦、鎵和鋅，
其中所述第一氧化物層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物層中的至少一個(gè)包括結(jié)晶部，
其中所述結(jié)晶部的c軸平行于所述第一氧化物層的表面的法線向量，以及
其中所述氧化物半導(dǎo)體層中的硅的濃度低于1×1018原子/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述第一氧化物層的帶隙比所述氧化物半導(dǎo)體層的帶隙大，并且
其中所述第二氧化物層的帶隙比所述氧化物半導(dǎo)體層的所述帶隙大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述第一氧化物層的導(dǎo)帶底端的能量比所述氧化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)帶底端的能量大，
其中所述第二氧化物層的導(dǎo)帶底端的能量比所述氧化物半導(dǎo)體層的所述導(dǎo)帶底端的所述能量大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述第一氧化物層的所述導(dǎo)帶底端的所述能量和所述氧化物半導(dǎo)體層的所述導(dǎo)帶底端的所述能量之間的間隙為0.05eV以上且2eV以下，并且
其中所述第二氧化物層的所述導(dǎo)帶底端的所述能量和所述氧化物半導(dǎo)體層的所述導(dǎo)帶底端的所述能量之間的間隙為0.05eV以上且2eV以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，
其中所述氧化物半導(dǎo)體層的氫濃度為2×1020原子/cm3以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，還包括所述第二保護(hù)絕緣膜上的第三保護(hù)絕緣膜，
其中所述第三保護(hù)絕緣膜包含氮化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述源電極和所述漏電極都與所述氧化物半導(dǎo)體層的側(cè)端部接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
