[發明專利]一種掩膜版差異的檢測方法在審

申請號：	201810356396.1	申請日：	2018-04-19
公開（公告）號：	CN108802063A	公開（公告）日：	2018-11-13
發明（設計）人：	王曉龍;紀昌炎;吳鵬	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	G01N21/956	分類號：	G01N21/956
代理公司：	上海申新律師事務所 31272	代理人：	俞滌炯
地址：	201200 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	掩膜版晶粒陣列檢測圖形曝光半導體技術領域晶粒成對的圖像
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【說明書】：

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種掩膜版差異的檢測方法，其中，包括：步驟S1，提供一第一晶粒陣列和一第二晶粒陣列，以及對應一第一掩膜版的第一圖形和對應一第二掩膜版的第二圖形；步驟S2，將第一圖形曝光在第一晶粒陣列上，以及將第二圖形曝光在第二晶粒陣列上；步驟S3，提取第一晶粒陣列和第二晶粒陣列中所有相同位置的成對的晶粒的圖像進行比較生成比較結果；步驟S4，根據所有比較結果判斷第一掩膜版和第二掩膜版的差異；能夠對兩塊掩膜版之間的差異進行高精度的檢測，不容易受到檢測過程中各種因素的影響。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種掩膜版差異的檢測方法。

背景技術

掩膜版在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構。掩膜版所產生的圖形是否精確，能夠對相關工藝步驟產生直接的影響，從而影響最終的產品良率。

目前在掩模版檢測機臺一次僅可完成一塊掩模版的圖形檢驗，對于兩塊掩模版，尤其是不同版本的掩膜版，對于兩個版本掩模版之間相同部分的差異性的檢測只能在晶圓上進行檢測，具體地可以將兩塊掩膜板曝光在同一片晶圓上面進行比較性的檢驗，而掩模版上的圖形在經過一系列工藝流程轉移到晶圓上之后，由于掩模版本身差異、光阻差異、光刻機4:1的曝光機理等因素的影響，其差異性檢測的精度較低。

發明內容

針對上述問題，本發明提出了一種掩膜版差異的檢測方法，其中，包括：

步驟S1，提供一第一晶粒陣列和一第二晶粒陣列，以及對應一第一掩膜版的第一圖形和對應一第二掩膜版的第二圖形；

步驟S2，將所述第一圖形曝光在所述第一晶粒陣列上，以及將所述第二圖形曝光在所述第二晶粒陣列上；

步驟S3，提取所述第一晶粒陣列和所述第二晶粒陣列中所有相同位置的成對的晶粒的圖像進行比較生成比較結果；

步驟S4，根據所有所述比較結果判斷所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的差異。

上述的檢測方法，其中，在所述第一晶粒陣列和所述第二晶粒陣列中相同位置的成對的所述晶粒的圖像上分別設置相同的多個特征提取點；

所述步驟S3中，根據所述特征提取點處的圖像的像素的比較生成所述比較結果。

上述的檢測方法，其中，成對的所述晶粒的任一圖像上設置有20個所述特征提取點。

上述的檢測方法，其中，所述步驟S3中，采用一掩模版缺陷檢測機臺進行所述圖像的比較。

上述的檢測方法，其中，所述步驟S3中，所有成對的所述晶粒的所述圖像的比較過程是同步完成的。

上述的檢測方法，其中，所述第一晶粒陣列和所述第二晶粒陣列分別具有20個所述晶粒。