[發明專利]封裝結構及焊接方法

有效

• 申請號: 201810355870.9
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108520867B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 陳傳興;邱原;吳鼎皞;季洪虎
• 申請（專利權）人: 蘇州通富超威半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/04;H01L23/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

1.一種封裝結構，其特征在于，包括：

基板連接層；

位于所述基板連接層部分表面的芯片；

位于所述芯片頂部表面的金屬導熱層；

位于所述基板連接層上的散熱蓋，所述散熱蓋圍成的空間容納所述芯片和金屬導熱層；

所述散熱蓋包括頂蓋，所述頂蓋包括鍍金區域和位于鍍金區域周圍的非鍍金區域，所述鍍金區域與所述金屬導熱層表面接觸，所述非鍍金區域與所述金屬導熱層表面不接觸，所述非鍍金區域具有朝向基板連接層且環繞所述鍍金區域的凸起；

其中，所述凸起在環繞鍍金區域的方向上包括若干第一凸起區，所述凸起在環繞鍍金區域的方向上還包括位于相鄰第一凸起區之間的第二凸起區，所述第一凸起區沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸大于第二凸起區沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸，所述第二凸起區的高度小于所述第一凸起區的高度；

環繞所述鍍金區域的凸起數量為若干個，所述若干個凸起沿環繞所述鍍金區域的方向進行排列；所述封裝結構還包括：位于相鄰凸起之間的非鍍金區域中的凹槽；

所述散熱蓋和基板連接層的邊緣區域設置有排氣口，所述第一凸起區相對于第二凸起區更靠近所述排氣口。

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，環繞所述鍍金區域的凸起一體成型；所述凸起呈環狀結構，所述凸起具有環繞所述鍍金區域的內側壁和環繞所述內側壁的外側壁。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述凸起的內側壁至所述鍍金區域的邊緣之間的距離為0毫米～5毫米。

4.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述內側壁至所述外側壁之間的距離為0.5毫米～10毫米。

5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，各凸起沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸大于各凹槽沿環繞鍍金區域的方向上的尺寸。

6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述散熱蓋還包括側蓋，所述側蓋與所述頂蓋連接，所述側蓋位于所述基板連接層的邊緣區域上且位于芯片的側部，所述頂蓋位于所述側蓋、金屬導熱層和芯片上。

7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述金屬導熱層的材料為銦、銦合金或銀合金。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述鍍金區域朝向所述金屬導熱層的表面具有第一鍍層，第一鍍層與所述金屬導熱層表面接觸，所述第一鍍層的材料為金；所述非鍍金區域朝向基板連接層的表面具有第二鍍層，所述第二鍍層的材料為鎳。

9.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀呈矩形，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀具有相對的兩條第一邊、以及相對的兩條第二邊，第一邊分別和第二邊的兩端連接，第一邊的長度大于第二邊的長度；所述鍍金區域的表面形狀呈矩形，所述鍍金區域的表面形狀具有相對的兩條第三邊、以及相對的兩條第四邊，第三邊分別和第四邊的兩端連接，第三邊的長度大于第四邊的長度；所述第一邊平行于所述第三邊，所述第二邊平行于所述第四邊；

所述第三邊的長度等于第一邊的長度與2倍的最大位置誤差之和；所述第四邊的長度等于第二邊的長度與2倍的最大位置誤差之和。

10.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀呈方形，所述芯片投影至所述散熱蓋的形狀具有相對的兩條第一邊、以及相對的兩條第二邊，第一邊分別和第二邊的兩端連接，第一邊的長度等于第二邊的長度；所述鍍金區域的表面形狀呈方形，所述鍍金區域的表面形狀具有相對的兩條第三邊、以及相對的兩條第四邊，第三邊分別和第四邊的兩端連接，第三邊的長度等于第四邊的長度；所述第一邊平行于所述第三邊，所述第二邊平行于所述第四邊；

所述第三邊的長度等于第一邊的長度與2倍的最大位置誤差之和；所述第四邊的長度等于第二邊的長度與2倍的最大位置誤差之和。