[發(fā)明專利]一種薄膜體聲波諧振器及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810354998.3
• 申請日: 2018-04-19
• 公開（公告）號: CN108667437B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊天倫
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/17
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;翟海青

1.一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底中形成有底部空腔，在所述底部空腔中填充有犧牲材料層；

在所述犧牲材料層的部分表面以及所述基底的部分表面上依次形成下電極、壓電層和上電極，并露出所述犧牲材料層的部分表面；其中，所述在所述犧牲材料層的部分表面以及所述基底的部分表面上依次形成下電極、壓電層和上電極，并露出所述犧牲材料層的部分表面，包括：在所述犧牲材料層以及所述基底的部分表面上依次形成下電極和壓電層，并露出所述犧牲材料層的部分表面，在所述壓電層的部分表面以及所述基底的部分表面形成上電極，并露出所述犧牲材料層的部分表面；其中，所述上電極和所述下電極上下部分重疊；其中，所述上電極和所述下電極上下部分重疊；

形成介電層，以覆蓋所述基底的正面，并且所述介電層的頂面高于所述上電極的頂面；

形成貫穿所述介電層的頂部空腔，所述頂部空腔露出部分所述上電極以及所述犧牲材料層的部分表面；

提供蓋帽襯底，將所述蓋帽襯底與所述基底形成有所述介電層的一側(cè)相接合；

形成至少一個釋放孔，其中，所述釋放孔貫穿所述基底露出部分所述犧牲材料層，或者，所述釋放孔貫穿所述蓋帽襯底露出部分所述頂部空腔；

去除所述犧牲材料層。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述底部空腔的橫截面形狀為任意兩邊平行的多邊形；

所述下電極的俯視形狀為任意兩邊平行的多邊形；

所述壓電層的俯視形狀為任意兩邊平行的多邊形；

所述上電極的俯視形狀為任意兩邊平行的多邊形；

所述頂部空腔的橫截面形狀為任意兩邊平行的多邊形。

3.如權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述頂部空腔和所述底部空腔上下重疊部分形成一個共同內(nèi)周，所述共同內(nèi)周在所述壓電層所在平面上的投影為不規(guī)則的多邊形，所述不規(guī)則的多邊形不包含任意一對相對而平行的直線段。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過濕法刻蝕或者干法刻蝕的方法去除所述犧牲材料層。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，將所述蓋帽襯底與所述基底形成有所述介電層的一側(cè)相接合的方法包括：

在形成所述底部空腔之前，或者，在形成所述犧牲材料層之后，形成所述下電極之前，在所述基底的正面形成鍵合焊盤，所述鍵合焊盤的俯視形狀呈環(huán)形并環(huán)繞所述底部空腔；

提供所述蓋帽襯底，在所述蓋帽襯底上形成有溝槽以及圍繞所述溝槽凸出的鍵合環(huán)；

在所述介電層中形成露出所述鍵合焊盤的開口，所述開口與所述鍵合環(huán)相匹配；

進(jìn)行鍵合工藝，以將所述鍵合環(huán)和所述鍵合焊盤相鍵合，所述溝槽封罩所述頂部空腔，以實現(xiàn)所述蓋帽襯底和所述基底相接合。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述下電極之前，形成第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和所述第二焊盤位于所述底部空腔的兩側(cè)，所述下電極電連接所述第一焊盤，所述上電極電連接所述第二焊盤。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，鍵合環(huán)的頂部包括鍵合材料層。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在將所述蓋帽襯底和所述基底相接合之后，去除所述犧牲材料層之前或者之后，還包括：

在所述基底的背面形成互連結(jié)構(gòu)，以分別電連接所述下電極和所述上電極。

9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成貫穿所述基底露出部分所述犧牲材料層的所述釋放孔之前，還包括：對所述基底的背面進(jìn)行減薄。

10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，將所述蓋帽襯底與所述基底形成有所述介電層的一側(cè)相接合的方法包括：

提供蓋帽襯底，將所述蓋帽襯底與所述介電層直接鍵合。