[發明專利]柔性面板及其制造方法及顯示裝置在審
| 申請號: | 201810353946.4 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108598108A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 黃靜;徐湘倫 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G09F9/30 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性面板 有機發光二極管器件 基板 擋墻 薄膜封裝層 顯示裝置 發光區域 外側設置 制造 覆蓋 | ||
本發明提供一種柔性面板。所述柔性面板包括基板、有機發光二極管器件、薄膜封裝層及擋墻。所述有機發光二極管器件形成在基板上。所述薄膜封裝層形成在基板上并覆蓋所述有機發光二極管器件。所述擋墻在基板上圍繞所述有機發光二極管器件的外側設置。所述擋墻包括第一部分及第二部分,所述第一部分比第二部分更靠近柔性面板的發光區域。本發明還提供該柔性面板的制造方法及使用該柔性面板的顯示裝置。
技術領域
本發明涉及一種柔性面板及其制造方法以及使用該柔性面板的顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有響應速度快、溫度適用范圍廣、自發光、可以實現柔性顯示等優點,被譽為繼陰極射線管顯示器、液晶顯示器之后的第三代顯示技術。隨著市場需求的不斷增加,柔性OLED的研發與生產成為目前顯示行業發展的熱門領域。然而由于有機材料對外界水氧特別敏感,因此柔性封裝技術直接關系到OLED的顯示壽命,也是制約OLED發展的瓶頸之一。
目前柔性OLED封裝主要采用無機層與有機層交互堆疊的薄膜封裝結構(ThinFilm Encapsulation,TFE),要求不但要實現充分阻隔外界水氧的侵蝕,而且要能有效的覆蓋生產過程中無法避免的顆粒污染物,緩沖彎曲、折疊過程中產生的應力。但由于有機層涂覆使用的單體流動性較好導致其邊界不能很好地控制,通常會采用在顯示區域外圍設置擋墻的方式來阻擋流動的有機層單體。因為擋墻的材質也屬于有機材料,水汽容易穿透,為了完全阻擋流動性有機單體溢出一般會至少設置兩個擋墻,這就要求TFE封裝時無機層的最外側邊界至少要延伸覆蓋最外圍的擋墻,才能保證邊緣不會很快水氧入侵,但這樣會導致TFE封裝結構的邊界外擴得太大,不利于窄邊框的設計。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種有利于實現窄邊框設計的柔性面板及使用該柔性面板的顯示裝置。
一種柔性面板,其包括基板、有機發光二極管器件、薄膜封裝層及擋墻。所述有機發光二極管器件形成在基板上。所述薄膜封裝層形成在基板上并覆蓋所述有機發光二極管器件。所述擋墻在基板上圍繞所述有機發光二極管器件的外側設置。所述擋墻包括第一部分及第二部分,所述第一部分比第二部分更靠近柔性面板的發光區域。
一種顯示裝置,其包括柔性面板及形成在所述柔性面板上的蓋板。所述柔性面板包括基板、有機發光二極管器件、薄膜封裝層及擋墻。所述有機發光二極管器件形成在基板上。所述薄膜封裝層形成在基板上并覆蓋所述有機發光二極管器件。所述擋墻在基板上圍繞所述有機發光二極管器件的外側設置。所述擋墻包括第一部分及第二部分,所述第一部分比第二部分更靠近柔性面板的發光區域。
一種制造上述柔性面板的方法,其包括如下步驟:
利用同一道光罩在基板上形成平坦層及一部分擋墻;
在所述平坦層上形成第一電極圖案;
在所述平坦層和基板上利用同一道光罩形成像素限定層和另外一部分擋墻,所述像素限定層在平坦層和第一電極上對應定義處發光像素所具有的空間;
在像素限定層所定義的發光像素所在區域內形成有機發光結構;
在所述有機發光結構上對應形成第二電極圖案;以及
在所述基板上形成薄膜封裝層進行封裝。
本發明的柔性面板及其制造方法以及顯示裝置,利用平坦處和像素限定層的光罩一并制成的擋墻采用交錯的雙層結構,不僅可以有效阻擋流動性有機單體的溢出,且有利于實現柔性面板的窄邊框設計。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





