[發明專利]顯示基板及其制備方法和顯示面板有效
| 申請號: | 201810353912.5 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN108520890B | 公開(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發明(設計)人: | 宋文峰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
本發明公開了一種顯示基板及其制備方法和顯示面板,包括:襯底基板以及位于所述襯底基板上的彩色發光層和磁場發生層;所述彩色發光層包括:若干個彩色發光圖形,所述彩色發光圖形的材料包括:磁致折射率調節材料和分散于所述磁致折射率調節材料中的光致發光材料;所述磁場發生層包括:與所述彩色發光圖形一一對應的若干個透明電極,所述透明電極與對應的所彩色發光圖形相對設置,所述透明電極用于根據接收到的驅動電流產生相應的磁場,以調節對應的所述彩色發光圖形的折射率。本發明的技術方案通過對各彩色發光圖形的出光面的出光強度獨立進行控制,可提升顯示面板所顯示畫面的色度均勻性,以解決因彩色發光圖形老化程度不均而導致的色偏問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。
背景技術
有機致電發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)器件憑借高亮度、全視角、響應速度快、可用于柔性顯示等優點,已成為極具競爭力和發展前景的下一代顯示技術。
在OLED顯示面板中,主要是通過白光OLED發出的白光來激發光致發光材料(接收到光照后可發出特定顏色光的材料)發光,以實現彩色顯示。目前,OLED顯示面板中使用的光致發光材料一般為藍色熒光材料、綠色/黃色磷光材料。在實際應用中發現,隨著使用時間的增長,光致發光材料(熒光材料和磷光材料)逐漸老化導致發光率逐漸下降;其中,藍色熒光材料的發光率下降速度快于綠色/黃色磷光材料的發光率下降速度,當藍色熒光材料的發光率與綠色/黃色磷光材料的發光率的差達到一定值時,顯示畫面中綠光/黃光的成分明顯多余藍光的成分,顯示畫面的色度不均勻,整體呈現發黃或發綠。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提出了一種顯示基板及其制備方法和顯示面板。
為實現上述目的,本發明提供了一種顯示基板包括:襯底基板以及位于所述襯底基板上的彩色發光層和磁場發生層;
所述彩色發光層包括:若干個彩色發光圖形,所述彩色發光圖形的材料包括:磁致折射率調節材料和分散于所述磁致折射率調節材料中的光致發光材料;
所述磁場發生層包括:與所述彩色發光圖形一一對應的若干個透明電極,所述透明電極與對應的所彩色發光圖形相對設置,所述透明電極用于根據接收到的驅動電流產生相應的磁場,以調節對應的所述彩色發光圖形的折射率。
可選地,所述磁致折射率調節材料包括:透明分散介質以及分散于所述透明分散介質中的透明磁性材料和折射率調控粒子;
所述透明磁性材料在所述透明分散介質中的分布可在外加磁場的控制下改變,從而調節所述彩色發光圖形的密度和折射率。
可選地,所述折射率調控粒子包括:二氧化硅納米顆粒或二氧化鋯納米顆粒。
可選地,還包括:與所述透明電極一一對應的若干個驅動結構,所述驅動結構用于根據調節電壓產生驅動電流,并將所述驅動電流輸出至對應的所述透明電極;
所述調節電壓為預先設置的與所述彩色發光圖形的折射率相對應的電壓。
可選地,所述顯示基板還包括:若干條第一柵線和若干條第一數據線,所述第一柵線和所述第一數據線限定出若干個像素區域,全部所述像素區域構成像素陣列;
每個所述像素區域中均設置有一個所述彩色發光圖形、與所述彩色發光圖形對應的一個透明電極和與所述透明電極對應的一個驅動結構;
所述驅動結構包括:開關晶體管、驅動晶體管和存儲電容;
所述開關晶體管的控制極與對應行的所述第一柵線連接,所述開關晶體管的第一極與對應列的所述第一數據線連接,所述開關晶體管的第二極與所述驅動晶體管的控制極連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





